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本文对TOPCon电池发射结的叠层钝化膜进行了研究，对比了3种不同叠层钝化膜（SiO2/SiNx、Al2O3（1.5 nm）/SiNx、SiO2/Al2O3（1.5 nm）/SiNx）的......
本文主要对低压化学气相沉积（LPCVD）法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）电池工艺进行研究。分析LPCVD法制备隧穿氧化层及多......
硅在自然界中储量丰富,环境友好,晶体硅制备工艺成熟,易于获得纯度高且晶格完美的衬底,是太阳电池的首选材料,晶体硅太阳电池也因......
本文基于量产的N型Topcon电池技术,在磷扩散工艺环节对磷扩工艺温度进行调整,研究不同磷扩温度下的磷杂质浓度分布,及其对多晶硅/......
本文旨在针对TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact背面隧穿氧化钝化接触)晶硅电池制备过程中,背面钝化多晶硅层沉积引起的硅片......
