多晶硅绕镀层的去除工艺研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lw10251

【摘要】

：

本文旨在针对TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact背面隧穿氧化钝化接触)晶硅电池制备过程中,背面钝化多晶硅层沉积引起的硅片正面边缘沉积多晶硅绕镀层的去除进行工艺研

【作者】

：

张婷刘大伟宋志成倪玉凤杨露刘军保

【机构】

：

国家电投集团西安太阳能电力有限公司

【出处】

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人工晶体学报

【发表日期】

：

2020年9期

【关键词】

：

TOPCon电池多晶硅绕镀层腐蚀硼掺杂去除工艺 TOPCon solar cellpolysilicon surround coatingetching

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本文旨在针对TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact背面隧穿氧化钝化接触)晶硅电池制备过程中,背面钝化多晶硅层沉积引起的硅片正面边缘沉积多晶硅绕镀层的去除进行工艺研究,进一步解决了电池外观不良和该多晶硅层对电池正面光的吸收影响。文中分别尝试采用HF-HNO 3混酸溶液和KOH碱溶液两种方式进行腐蚀处理,然后通过对处理后硅片正面的工艺控制点监控和电池EL检测等手段评估去除效果。其中HF 1wt%、HNO 350wt%混合溶液时腐蚀4 min以上可去除该绕镀层,但是大于6

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