本文研究了ＣＭＯＳ电路中的Ｌａｔｃｈｕｐ效应．通过实验研究了ＣＭＯＳ电路不同版图尺寸和多种抗Ｌａｔｃｈｕｐ技术对维持点参数（维持电流和维持电压）的影响，得出了Ｌａｔｃｈｕｐｆｒｅｅ结构．本文同时使......

对带有ｐ型转向器的ＭＯＳ双门极ＥＳＴ晶闸管（ＤＧＥＳＴＤ）进行了研究，该ｐ型转向器与双门极的结合使得空穴电流分流，从而明显改善了传统ＥＳＴ的正向偏置安全工作区（ＦＢＳＯＡ），提高......

在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时，发现了一种新的抗闭锁方法——伪闭锁路径法。文章介绍了这种方法的基本原理，开发了一种抗闭锁......

通过完成电路中的各功能模块和焊盘的合理放置,对开关电源监控电路的版图进行了优化设计.在放置器件时考虑可能出现的拴锁、匹配和......

对3种不同容量的EEPROM开展了'强光一号'瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能......