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在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时，发现了一种新的抗闭锁方法——伪闭锁路径法。文章介绍了这种方法的基本原理，开发了一种抗闭锁电路实例。运用计算机仿真分析技术开发的抗闭锁电路，可以实现体硅CMOS器件的闭锁抑制。“闪光Ⅰ”瞬时辐照试验表明，该抗闭锁电路的触发阈值剂量率很低，只有1．3×10^4Gy（Si）／s，能够成功抑制单片机系统的辐射感应闭锁。