HgMnTe相关论文
基于对溶质传输特性的定量估算,确定了HgMnTe晶体在ACRT-B生长过程溶质再分配的简化条件和计算模型,并用于晶体生长过程成分偏析的......
窄禁带、含Ｈｇ 的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发，......
HgCdTe,HgZnTe和HgMnTe经阳极氧化处理,接着作一次低温退火,形成p-n结。研究了结深与退火时间,温度,本身受主浓度以及材料组分的依......
Hg1-xMnxTe与红外探测器材料Hg1-xCdxTe在很多方面的性质极为相似，但在某些方面的性能更优越，因而Hg1-xMnxTe是有望替代Hg1-xCdxTe制......
窄禁带，含Ｈｇ的Ⅱ－Ⅳ族化合物半导体 体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数，本文从腐蚀机理出发，了ＨｇＭｎＴｅ的......
p型零禁带Hg_(0.97)Mn_(0.03)Te在深低温(T<4.2K)弱磁场(B<0.6T)区出现磁阻振荡及霍耳系数振荡。用补充了交换互作用项的P-B模型拟......
HgMnTe是一种典型的Mn基Ⅱ-Ⅵ族窄禁带磁性半导体材料,已成功应用在红外发光和光电探测领域。同时由于磁性元素Mn的引入,HgMnTe材......
本文对近年来国际上研究较多的新三元红外探测器合金材料的性能及研究进展作了简要论述,特别注重了与碲镉汞材料的对比,同时讨论了......
