GaN外延层相关论文
该文采用湿法腐蚀法间接确定GaN外延层的极性，利用X射线四圆衍射仪测绘立方相GaN外延层中六角相的(100)极图、立方相的(111)极图和......
报道了以Si( 111)为衬底的GaN光导型紫外探测器的制备及其光电流性质。探测器的光谱响应表明 ,这种GaN探测器在紫外波段 2 50～ 360n......
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示Ga......
报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化.形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜,形貌的发展显示GaN......
采用电子背散射衍射（EBSD）技术，测量GaN／蓝宝石结构中的弹性应变场．将EBSD菊池衍射花样的图像质量叼值及小角度错配作为应力敏感参数，表......
报道了以Si(111)为衬底的GaN光导型紫钙探测器的制备及其光电流性质，探测器的光谱响应表明，这种GaN探测器在紫外波段250－360nm有近于......
采用扫描电镜中的电子背散射衍射（Electron Backscattering Diffraction,EBSD）技术,对硼掺杂的可动悬空硅薄膜和用于激光二极管（LED）的......
GaN基体系材料具有禁带宽度宽、热稳定和化学稳定性好,波长范围大的特点,在光电子和微电子领域有着极其广泛的应用前景。本文利用M......
通过高分辨X射线衍射（HRXRD）技术，对金属有机化合物气相外延（MOCVD）生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向，晶格常数和应力情况，位错密度等......
近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。采用感应耦合等离子体(ICP)技术对涂覆有光刻胶阵列图案的蓝......
继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后，GaN基材料被誉为第三代半导体材料。它具有禁带宽度宽的特点，电子......
