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该文采用湿法腐蚀法间接确定GaN外延层的极性，利用X射线四圆衍射仪测绘立方相GaN外延层中六角相的(100)极图、立方相的(111)极图和不同入射方向地的倒易空间mapping，结果表明与平行于[110]晶向的(111)<,AS>面和(111)<,AS>面相比较，平行于[110]晶向的(111)<,Ga>面和(111)<,Ga>面上容易形成六角相和微孪晶。