GaNLED相关论文
设计并研制了光子晶体结构GaNLED,实现了光子晶体GaN LED提取效率的提高及其到胶体量子点的共振能量转移,能量转移效率达到79.50％.......
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日本松下公司采用高质量GaN衬底制作了世界最高输出功率的白光LED。InGaN基LED生长在本征材料之上,制成LED的效率比一般在蓝宝石衬......
据《Compound Semiconductor》2007年第11/12期报道,英国贸易与工业部(DTI)对LED器件节能的潜力发生兴趣,已投资两个基于新芯片结......
IMS Research发布报告指出,2011年氮化镓(蓝/绿)LED市场销量预计将增长49%至62亿个,销售额将增长38%至108亿美元,而2010年氮化镓(......
以中心波长为650nm的氮化镓LED外延片为研究对象,提出了一种反射式表面等离激元增强型LED来提高其发光效率。该结构包含依次覆盖在......
本文主要针对GaN基发光二极管(LED)在外延生长过程中翘曲的研究,提出控制和改善外延片翘曲的几种方法,以提高外延片的均匀性,并有......
ZnCuInS/ZnS(QDs)量子点是一种不含重金属半导体的纳米材料,以无机前驱体和非配位溶剂为基础,合成得到尺寸为3.2nm的ZnCuInS/ZnS核......
