【摘 要】
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用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN：Mg外延膜，对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试．Hall测试结果表明，950℃退火后空
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用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN：Mg外延膜，对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试．Hall测试结果表明，950℃退火后空穴浓度达到5×10^17cm^-3。以上，电阻率降到2．5Ω·cm；(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4’；室温PL谱中发光峰位于2．85eV处，退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上，表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活．
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