【摘 要】
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基于密度泛函理论的第一性原理,计算了不同B掺杂浓度的单壁碳纳米管(SWCNT)的几何结构、杂质的形成能、能带结构和态密度(DFT),研究了B掺杂对(2,2)SWCNT电子结构的影响.B杂质
【机 构】
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华南师范大学物理与电信工程学院,广东省高等学校量子信息技术重点实验室
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基于密度泛函理论的第一性原理,计算了不同B掺杂浓度的单壁碳纳米管(SWCNT)的几何结构、杂质的形成能、能带结构和态密度(DFT),研究了B掺杂对(2,2)SWCNT电子结构的影响.B杂质的引入使SWCNT的管径增大,杂质的形成能为负值,表明(2,2)SWCNT进行掺B的过程为放热反应,B原子以替位形式掺入碳纳米管中是可行的.掺杂B后,SWCNT的费米能级向价带迁移,使(2,2)SWCNT转变为N型半导体.
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