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GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。实验表明,采用InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构......
三族氮化物材料由于其在蓝绿到紫外领域光电器件的广泛应用而成为人们研究热点,AlInGaN四元合金使得这种材料体系的应用范围得到极......
GaN基化合物半导体是今年来研究非常热一种重要的发光、电子材料.在该论文中,我们从生长到光学性质对InGaN合金材料的发光机制、In......
Ⅲ族氮化物三元合金AlGaN及四元合金AlInGaN已经广泛应用于高速电子器件及光学发光器件中，如发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)中，......
A 2DEG charge density based drain current model for various Al and In molefraction mobility dependen
We present a two-dimensional electron gas(2DEG) charge-control mobility variation based drain current model for sheet ca......
Characterization of quaternary AlInGaN epilayers and polarization-reduced InGaN/AlInGaN MQW grown by
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究AlInGaN材料的生长特性及其光学性质.通过对不同生长温度生长的三个AlInGaN样品的测量,发现In的掺入量随着生长温度的降低而增......
利用卢瑟福背散射/沟道技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积方法生长的有GaN缓冲层(>2μm)的一系列不同Al和In含量的AlInG......
计算比对了不同垒层构型量子阱的极化电场，对极化场下能级结构、载流子浓度分布、自发辐射复合速率和缺陷所造成的Shockley-Read-Ha......
GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。实验表明，采用InGaN／GaN三元和AlInGaN／GaN四元两种不同量子阱结构的......
在（0001）蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别......
利用射频等离子体辅助分子束外延（RF-MBE）技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮（AlInGaN）四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的Al......
近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了全球半导体领域研究和投资的新热点。本文综合分析了AlGaN材料的生......
AlxGa1-xN是直接带隙宽禁带半导体材料,化学性质稳定,耐高温,抗辐射,波长在200～365 nm范围内连续可调,在空气净化、杀菌与消毒、半......
AlxInyGa1-x-yN四元化合物半导体材料，通过调节Al和In的组分不但可以实现禁带宽度和晶格常数的独立调节，还可以与GaN缓冲层的热外延......
四元AlxInyGa1-x-yN化合物半导体材料,可以通过调节Al和In的组分,实现带隙和晶格常数的独立调控,可以获得量子阱垒层与Al Ga N类似......
Ⅲ族氮化物(GaN,AlN及InN)半导体材料具有优异的光学和电学特性,已引起人们广泛的关注和研究。特别是在任意组分下都具有直接带隙......
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分......
