非晶氧化物相关论文
自从2004 年Hosono 小组在Nature 杂志上发表非晶IGZO 薄膜晶体管(TFT)以来,氧化物TFT 以其高迁移率、高均匀性、高透明性和可低温......
相对于晶体半导体,非晶半导体化合物由于平移对称性破缺以及存在大量的悬挂键,往往具有极低的电导率,例如,非晶硅、镉相对于其晶体......
近年来,在LaAlO_3(LAO)/SrTiO_3(STO)异质结界面发现了高迁移率的准二维电子气(Q2DEG),这使通过调制绝缘体SrTiO_3表面和界面附近......
不含SiO2、B2O3、P2O5等传统网络形成体的TiO2基、Nb2O5基新型氧化物玻璃具有超高折射率等优异光学性能,在激光、显像等领域具有广......
La_2O_3-TiO2非晶氧化物是一种具有优异光学性能的材料,有着广泛的应用前景,但其非晶形成能力较差,通过无容器凝固制备的材料尺寸......
基于等离子轰击和射频磁控溅射技术,制备了HfO2/SrTiO3结构的全氧化物场效应晶体管(FET),并研究了其栅极漏电性质。该全氧化物晶体......
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太赫兹技术由于其在安全检测、医学成像、无线宽带通信及物质鉴别等领域的重要应用前景,近些年来已逐渐成为研究的热点。在之前很......
有机薄膜晶体管(organic thin film transistors, OTFTs)具有质量轻、价格便宜、低温工艺、与柔性兼容等优点,在近十年来得到了迅......
非晶氧化物半导体(AOS)材料具有高迁移率、与柔性衬底兼容和可大面积沉积等优点,已作为薄膜晶体管(TFT)的沟道层被应用于显示器领......
电子产品的迅速更新换代对平板显示提出了大尺寸、高分辨、可弯曲等技术发展要求,非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)平板显示技术在这方面......
