氧化锌(ZnO)由于高迁移率和低温工艺是一种理想的薄膜晶体管(TFTS)沟道层材料。同时,ZnO也非常容易掺杂用于透明电极,且将其它氧化物与ZnO化合不仅可以调节禁带宽度和功函数等参数,还可以得到多成分的非晶透明导电氧化物(TCOs).本文主要的研究工作：一、制备ZnO-TFTs并研究其紫外光响应特性；二、如何获得性能优异的ZnO基非晶TCOs。1、采用磁控溅射沉积的ZnO-TFTS具有好的紫外响应特性。对于输出特性曲线,365nm和254nm紫外光照射下饱和电流分别为黑暗条件下饱和电流的3倍和6倍。紫外光照移除后,栅极偏压的作用使得开态电流衰减比关态电流慢许多。2、采用脉冲激光沉积制备非晶InAlZnO透明导电薄膜,通过优化沉积参数和化学成分,或引入金属Cu层来提高InAlZnO薄膜的综合性能。(1)随着衬底温度的升高,薄膜电阻率先急剧下降,到300℃以上时下降速度变缓。随着氧分压的增大,薄膜载流子浓度减小,最合适的氧分压为0.01Pa。随沉积时间的增加,薄膜电学性能变好,但当薄膜太厚时,光学性能显着下降。(2)随着Al含量的增加,薄膜的载流子浓度和迁移率同步下降。当掺杂Al6.4at.%时,虽然薄膜电学性能稍微变差,但是能使其结晶度得到有效降低,薄膜更加平整。(3)无论Cu/InAlZnO还是InAlZnO/Cu/InAlZnO,相对于单层InAlZnO薄膜电阻率都明显下降。但Cu层的增厚会导致可见光透过率的显着降低,不利于薄膜的综合性能的提高。