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相对于晶体半导体,非晶半导体化合物由于平移对称性破缺以及存在大量的悬挂键,往往具有极低的电导率,例如,非晶硅、镉相对于其晶体相,其电导率下降了几个数量级.然而,最近几年来在实验上发现非晶氧化物半导体却具有很高的电子电导率,这一奇异的现象一直以来很难被解释.通过利用第一性原理分子动力学模拟和电子结构计算,我们分析了非晶共价和离子化合物在电子结构和光学性质的不同之处,我们发现在共价化合物中,非晶化会在能隙中引入一些很深的杂质态,这些杂质态将会形成缺陷中心,从此大大地降低了电子的电导率.