霍尔系数相关论文
半导体材料的出现,促进了科学与技术的发展,使我们社会进入了现代化的生活方式。目前半导体材料在微电子、光电子、人工智能、航空......
用范德保法研制了半导体矿物霍尔系数及电阻率测量设置。阐述了天然半导体矿物样品通常具有质地甚不均匀、性质参数变化范围甚大等......
纳米级金属-半导体结构材料在半导体和微电子领域占有重要的地位,它具有丰富的物理特性。在寻找高性能金属-半导体结构材料的过程......
1金属的霍尔电压符号不都是一样的在中学物理的“霍尔效应”教学中,都采用经典的金属导电电子理论来解释霍尔电压的形成.如图1所示......
Bednorz和Muller于1986年在镧铜氧体系中发现了第一个高温超导体。尽管此后具有更高超导临界温度Tc的体系相继问世，以La2CuO4为母体......
对SnO2:F、ZnTe:Cu化合物半导体多晶薄膜和CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池进行电子辐照,研究辐照能量、注量对薄膜性质和器件性能的影响......
学位
将不均匀材料网络化用等效电源的方法根据基尔霍夫定律得到了不均匀材料样品的霍尔系数的较为一般的表达式应用该结果可以方便地......
对YBa2Cu3-xFexOy(x=0.0,0.1,0.2)和YBa2Cu2 8Fe0.2Oy(y=7.05-6.53)系列样品的氧含量、霍尔系数和超导电性进行了系统的研究.结果......
通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻-温度等电学特性的测试和分析,对(Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究.结果表......
利用简单的加热装置改装HL—IV型霍尔效应实验仪，利用改装后实验仪器测量不同温度条件下的半导体霍尔系数及其载流子浓度。......
霍尔效应实验既可以测量电磁铁空隙中的磁场分布,又可以测霍尔元件的霍尔系数和霍尔灵敏度。利用Matlab软件可以简单、准确地依据......
利用磁控溅射方法制备了不同金属体积分数x的(Fe21Ni79)x-(Al2O3)1-x纳米颗粒膜样品,并对样品的霍尔效应进行了研究,在x=0.48时,样......
以基于高温超导体双成分模型的近局域对理论分析Bi2Sr2CaCu2O8+δ正常态霍尔系数的温度行为，得到与实验相符的结果。指出赝隙随温度......
采用微机控制和数字式数据采集系统，在变温环境下（77～420K）对长为6．0mm、宽为4．0mm、厚为0．6mm的锗样品薄片进行霍尔效直相关数据测量；通过......
利用二种载流子体系的霍尔系数公式导出该体系下霍尔电压与二种载流子浓度p／n之间的公式及曲线。分析了不同p／n值时霍尔电压值与材料......
硅酸铋（BSO）晶体具有泡克尔斯效应和法拉第磁光效应，通过BOS晶体的偏振光将受电场和磁场的调制，利用这一特性，设计了一种基于BSO晶体传......
设计与研制了一种小型的用于制备薄膜样品电接触的烧结炉装置，该装置简单、实用、特别适用于半导体霍尔样品电极的烧结。......
本文测量了室温至166℃范围内硅的霍尔系数,发现在室温至166℃范围内,温度逐渐升高时,价带上的电子开始激发到导带,RH=0;当温度升......
应用电动力学理论，提出了一种测量非均匀半导体电导率和霍耳系数的方法，论述了这种方法依据的原理和计算公式，以及用此方法测量的步骤......
通过变温霍尔效应实验获得锑化铟的霍尔系数随温度变化的数据，根据半导体的霍尔系数随温度的变化规律，计算出禁带宽度，并且着重讨论禁......
利用定量迁移率谱技术，通过研究霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎＨｇＣｄＴｅ器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率随温度的变化趋......
本文利用定量迁移率谱分析技术，通过研究样品霍尔系数和电阻率对磁场强度的依赖关系，获得了样品中参与导电的电子和空穴的浓度和迁移......
本文主要是介绍霍尔效应实验的流程,以及对流程、结果和误差等的分析、总结与改进,让我们可以系统的对霍尔效应实验相关数据的意义......
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n......
期刊
<正>2010年高考北京理综卷物理试题与北京近几年自主命题的格局保持了良好的连续性和稳定性,对高考大纲中要求的知识点的考查比较......
<正>2012年第七届全国高中应用物理竞赛题中不乏有联系实际的好题。但是也有一些题出现了不应该出现的原则性、常识性的错误,也有......
霍尔效应实验是一个受系统误差影响较大的实验,特别是在霍尔效应产生的同时,伴随产生的其他效应引起的附加电场对实验影响较大.本......
Sn掺杂的In2O3(ITO)薄膜集高的可见光透过率和低的电阻率于一身,在太阳电池、平面显示器及其他光电器件领域得到了广泛地应用。其......
在77K时的电子迁移率利用分凝作用是提高InSb纯度的关键办法。将经区熔提纯的晶绽中段切下来,在液氮温度下测量霍尔系数或零磁场......
霍尔效应（Hall effect）可以用来测定金属和半导体中的载流子符号,霍尔系数定义为RH=Ey/jxH其中Ey，jx，H分别为电场、电流密度和磁场（图1）．......
采用范德堡法分别在77K和室温下对多个Hg1-xMnxTe晶片的电学性能进行了测量,发现部分晶片在77K下的导电类型为p型,而在室温下却为n......
英文论文
