镓铝砷相关论文
目的探讨镓铝砷(GaAlAs)激光照射后脂肪间充质干细胞(ADSC)修复光老化皮肤的作用。方法选取健康Wistar大鼠腹股沟脂肪组织，分离ADSC......
在理论分析设计的基础上，进行了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ定向耦合器型波调制器试验，建立了器件行波电极微波特性的测试系统，由此系统进行实验确定器件最佳结构......
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压 MOVPE外延生长的 Cδ掺杂 Alx Ga1-x As多层外延与pipi Alx Ga1-x As超晶格 .结果表明 ,以 T......
使用镓、铝、砷等化合物半导体的电极材料主要用金。用于数字计算机的音频磁盘和视频磁盘输入信号、输出信号使用的镓铝砷激光
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牙本质过敏症是口腔科的常见病和多发病 ,以往多采用氟化钠甘油、硝酸银等药物进行脱敏 ,但临床效果不佳 ,远期疗效更不理想。自 1......
自六十年代开始，激光在口腔医学上开始应用，由于其功率较高，对牙髓、牙龈及口腔粘膜均有刺激作用而未被广泛应用。九十年代开始，以镓铝......
俄歇(Auger)电子谱仪是一种新型的综合性分析装置,利用它作半导体材料和器件的组分与表面的分析,是一个很有力的工具,也是一门新......
原发性小儿遗尿症是儿科门诊常见疾病之一,因病程可迁延数年,患儿精神异常痛苦,且目前的常规治疗方法疗效普遍欠佳.我院儿科曾采用......
通过初步传输实验,证实了采用低损耗单模纤维与精心设计的镓铝砷激光器相结合的办法,在八百兆比特速率时,中继间隔可长达7.3公里。......
本文提出了一种新型结构的Npn砷化镓双极型微波晶体管,该结构用一个两层的镓铝砷(Ga_(0.4)Al_(0.6)As/Ga_(0.7)Al_(0.3)As)来代替......
本文首先推论出GaAs-Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器和GaAs_(1-x)P_x发光管退化现象的相似性。然后,将后者的慢退化与作者对GaAs提......
法国国家空间研究中心正在研究从低地轨道到地球同步轨道的每秒400Mbit 数据流单向光学传输的前景.研究人员已在一个以不同波长传......
英国Asea研究和革新有限公司的光纤温度计能在0到200℃的温度范围内测量多达24个不同点的温度。这种1110型温度计能同时测量24点......
本文研究了镓铝砷双异质结红光二极管发射光谱中的红外谱带随工作电流及温度的变化规律,并看到器件的发光效率与红外带的强度有明......
本文叙述了1Gbit/s光纤通信线路误码率的测量方法,线路采用镓铝砷(GaAlAs)双异质结激光器,1.6公里单模光纤,雪崩光电二极管和四个......
桑迪亚国家实验室开发出一种手持式液体化学分析仪，仪器包括基于垂直腔面发射激光器的小型光学系统和衍射光学件。该室想在战场上采......
研制成功了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ／Ｇａ１－ｙＡｌｙＡｓ双异质结红色（６７０ｎｍ以光二级管。本项研究采用了具有独创的双层石墨相外延，并改进了电极制作技术，取得很好的结果。......
使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的Ｃδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多层外延与ｐｉｐｉＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ超晶和。结果表明，以ＴＭＡｌ为掺杂源的Ｃδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多层外延样品的二维空们浓度......
由于ＧａＡｓ与ＡｌＡｓ晶格常数相近，ＧａＡｓ晶格常数为０．５６５３５ｎｍ，ＡｌＡｓ的晶格常数为０．５６６０５ｎｍ，当固熔体中Ａｌ组份ｘ值从０变到１时，晶格常数变化约为０．１５％．因此，在ＧａＡｓ衬底上生长Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ时，在界面处的失配位错少，........
阐述了用ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制量子阱结构及其光学性质。样品经高分辨率光致发光（ＰＬ）测试显示，在１０Ｋ下对于８ｎｍ的单量子阱，通过激发产生的荧......
本文研究了一种用于单片集成光发射机而制作的正装ＳＩ衬底上的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓＢＨ激光器。其制造工艺简单，全部结构由两次外延形成，目前条宽６－８μｍ，腔长２５０μｍ的ＨＢ激光......
观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射，对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临辊的合半导体存在着有效质量的浅施主能级......
用X射线运动学的多层膜干涉理论，模拟计算了AIGaAs/GaAs超晶格X射线双晶衍射摇摆曲线，提出了一种具有整数分子层的界面过渡层理论模......
本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法，以及用这种方法研究ＧａＡｌＡｓ薄膜和ＧａＡｓ体材料的结果。热微分反射光谱显示了材料在......
光纤通信是新技术革命的基础技术之一,发展极为迅速,现已在美、日、英等国得到了大规模的推广应用。本文拟通过对美、日、英发展光......
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(CRIN-SCH-......
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<正> 引言 众所周知,杂质缺陷对半导体器件性能有很大的影响,所以引起人们极大的兴趣。所谓深能级,一般是指不易离化、电离能超过......
<正> 前言 npnp-Ga1-xAlxAs负阻发光二极管〔符号:SLED〕是一种新型属于多功能半导体发光元件,它兼具发光和负阻的伏安电特性,具有......
本文对用于制造高效率半导体发光器件的材料──Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＝０．７５）外延层沿生长方向上铝组分的分布进行了详细地讨论。采用电液相外延法能获得铝组分......
自2002年以来,我科使用镓铝砷半导体激光与超短波治疗肋软骨炎,对2种治疗方法的疗效进行比较.资料与方法1.临床资料将符合<临床疾......
