锗硅异质结双极晶体管相关论文
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）具有良好的温度特性，可承受-180～+200℃的极端温度，在空间极端环境领域具有诱人的应用......
随着现代移动通信以及微波通信的发展，人们对半导体器件的高频以及低噪声等性能要求日益提高。传统的硅材料器件已经无法满足这些性......
采用SiGe异质结双极晶体管,设计了一种具有回转结构的带通跨导-电容滤波器。使用ADS软件进行电路图的仿真分析。研究镜像电流源的......
期刊
提出了一种锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT) MEXTRAM集约模型参数的直接提取方法.该方法通过有效地区分各种器件物理效应对器件性......
利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合，研制成适于集成的平面结构、发射结面积为3?μm×8?μm的SiGe异质结双极......
采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成。基于上述工艺技......
采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGe HBT......
报告了0.18μm高速N型锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）的器件结构和制作工艺。分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性,其截止频率为110......
介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）,该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过......
通过在SiGeHBT外基区和多晶发射极上制作TiSi2，从而使器件的高频噪声系数得到进一步降低。以PD=200mW的SiGeHBT为例，采用TiSi2工艺的......
研制了一种平面集成多晶发射极SiGeHBT，并对SiGe HBT设计进行了研究分析。给出了双极晶体管的结构和关键工艺参数，并进行了流片测试，......
对国产锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不......
通过求解玻尔兹曼能量平衡方程，得出基区的电子温度分布，建立了考虑电子温度变化，适用于超薄基区SiGeHBT的基区渡越时间模型。该模型......
本文对多发射极条（指）微波功率GeSiHBT进行了设计、制造和测试，并就测试结果对电流处理能力进行了研究。实验结果表明，对20—80指的GeS......
研究了0.18μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多......
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和......
期刊
低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)作为接收机前端的重要组成部分,其增益、噪声系数和线性度等指标直接影响着接收机的接收性......
随着无线移动通信的飞速发展,GHz频带电子器件的设计和制造越来越受到关注。滤波器是通信系统中的关键器件。因此,高频率、低功耗......
学位
射频可变增益放大器大多基于CMOS工艺和砷化镓工艺,通过改变晶体管的偏置电压或建立衰减器增益控制结构实现增益可调.本文采用高性......
设计了一款超宽带低噪声放大器(UWB LNA).采用Cascode-共基极电流复用结构,直流通路时能有效降低功耗,交流通路时增加了电路的增益......
作为在CMOS工艺与Ga As上价格与性能折衷的工艺,SiGe HBT(Hetrojunction bipolar transistor,HBT)工艺具有非常优良的应用前景。该......
硅衬底微波集成电路具有诱人的发展前景。本文阐述了硅材料用作微波集成电路衬底的优点 ,分析了硅衬底微波传输线、无源元件以及锗......
为了对比研究不同厂家不同SiGe HBTs器件的总剂量辐射损伤效应以及在不同偏置不同剂量率条件下SiGe HBTs器件的辐射响应规律和潜在......
