SiGe BiCMOS工艺中HBT的关键制造工艺研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:linjavac
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研究了0.18μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工艺的难点和问题,提出了解决办法,并报导了解决相关难题的实验结果。
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