【摘 要】
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对国产锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,新疆电子信息材料与器件重点实验室,西北核技术研究所,中国科学院大学,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（61274106）
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对国产锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明：国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效
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