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利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合，研制成适于集成的平面结构、发射结面积为3?μm×8?μm的SiGe异质结双极晶体管(HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益β为30到50，基极开路下，收集极-发射极反向击穿电压BVCEO为5?V，晶体管的截止频率fT为13.5?GHz。