铁电随机存储器相关论文
近年来，稀有金属离子掺杂的钛酸铋(Bi4Ti3O12，简写为BTO)铁电薄膜成为研究的热点，这种材料结晶温度较低、抗疲劳特性好、自发极化较大......
铁电薄膜/半导体异质结表现出的电阻开关效应是制备铁电随机存储器的所需的性质。铁电薄膜要有高的居里温度和剩余极化。铁酸铋是......
铁电随机存储器(FRAM)因其具有诸多的优点而成为备受瞩目的下一代新型存储器之一,但是由于其自身存在的疲劳、极化保持损失、印记......
东京理工大学和富士通微电子已经联合开发出用于新一代非易失性铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory,FeRAM)的材料......
FeRAM(Ferro-electric RandomAccess Memory,铁电随机存取存储器)是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器.不仅如此,与以往的非......
将铁电薄膜与CMOS工艺相集成是实现铁电存储器制备的关键所在,采用PZT材料的铁电随机存储器的工作原理、工艺流程,以及铝连线在还......
电子信息技术突飞猛进,电子科学日新月异.就电子科技领域近两年一些新热点,如无线上网、移动计算、64位处理器、超级计算机世界500......
为简化嵌入式系统利用NAND闪存保存大容量数据的设计复杂性,提出一种利用铁电随机存储器（FRAM）构建固态存储器实现快速高效存取的方......
综述了铁电存储器的存储原理、电路结构及应用、尚未解决的主要铁电材料的环保问题、疲劳失效问题、信息保持力和破坏性读出等问题......
铁电随机存储器（FRAM）的工作原理是利用铁电薄膜材料剩余极化双稳态的特点,它具有非易失性、高速度、高密度、抗辐射等优点,被认为半......
富士通半导体(上海)有限公司今日宣布推出基于0.18μm技术的全新sPI FRAM产品家族，包括MB85Rs2 56A、MB85RSl28A和MB85Rs64A这3个型......
铁电材料与微电子技术相结合,促成了新兴交叉学科——集成铁电学的出现,以铁电随机存储器（FRAM）为代表的铁电集成器件的诞生,推进了......
印制电子是为了解决传统的电子工艺中所遇到的问题而诞生。传统的电子工艺如光刻法,往往需要浪费很多材料,生产成本巨大,对环境污......
