集成电路特征线宽不断减小的趋势和MEMS技术制备三维微结构的要求,都需要通过采用适当的方法对电子束光刻技术中由电子的散射引起......

针对X射线自支撑透射光栅在多能点单色成像光栅谱仪中的应用,采用电子束和光学匹配曝光、微电镀和高密度等离子体刻蚀技术,成功制......

针对三维曝光图形的结构特点,结合重复增量扫描方式,分别从水平和深度两个方向进行邻近效应校正.水平方向通过预先建立校正过程中......

为了制备高线密度X射线透射光栅掩模，分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响；利用几何校正技术和低灵敏度的950k的PMMA......

提出了实现电子束光刻的快速邻近效应校正的分级模型.首先利用矩阵实现内部最大矩形和顶点矩形的快速替换,然后对内部最大矩形和顶......

本文利用双高斯形式的邻近函数来表达电子束在抗蚀剂中能量的分布,并以邻近函数为基础计算一些简单图形在曝光时所需的尺寸改变量......

通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程，探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径。实验结果表明：邻近效应现象是一种综合......

本文研究了基于形状修正的电子束光刻分级邻近效应校正技术,在内部邻近效应校正的基础上,在计算图形之间产生的相互邻近效应过程中......

以光子晶体Fabry-Perot腔为例，提出了全电子束光刻制作光子晶体波导器件的解决方案．曝光光子晶体区域时采用较小的曝光步长，同时引入......

准确提取电子散射参数是确保纳米级电子柬光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数......

研究了基于图形几何尺寸修正的电子束光刻的内部邻近效应校正技术,利用累积分布函数预先进行内部最大矩形和顶点矩形的快速计算,并......

微机电系统器件的制造要求微三维加工工艺。当前制作三维微结构的技术主要有体硅微加工技术、LIGA(Lithographie，Galvanoformung an......

以光子晶体Fabry-Perot腔为例,提出了全电子束光刻制作光子晶体波导器件的解决方案.曝光光子晶体区域时采用较小的曝光步长,同时引......

微细加工技术是制备超大规模集成电路的关键技术,随着集成电路特征尺寸的不断减小和三维微结构制造要求的不断提高,对分辨率的要求......