自组装量子点相关论文
量子点结构的生长与特性的研究是一项具有重要理论意义和应用价值的课题.近年来,自组装量子点的生长与研究越来越受重视,而自组装......
与其他制备纳米材料的方法相比,激光法因为具有环境友好、操作方便等优点而得到广泛的应用。激光液相烧蚀法由于产物受到液体限制,......
分析研究了GaAs InAs自组装量子点的电输运性质 ,通过对实验数据的分析 ,讨论了Schottky势垒对InAs量子点器件的影响和I V曲线中迟......
自组装量子点材料作为一种新型的光电材料无论在理论和实际应用都成为当今物理学界的研究热点.由GaAs包围的InAs小岛,由于较大的晶......
本文对张应变 Ga As层引入使 In As/ Inp量子点有序化排列的机制进行了分析 .为提高 In As/ Inp自组装量子点特性提供了理论依据 .......
制作了含自组织量子点的金属 半导体 金属双肖特基势垒器件 ,研究了器件的电流输运特性 .在量子点充放电造成的电流迟滞回路的基础......
设计了含有InAs自组装量子点(SAQDs)的新型金属-半导体-金属隧穿结构，研究了其直流输运特性，观察到了电流迟滞回路现象.这种回路现象......
首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观......
在 77到 2 92K的范围内 ,系统研究了含InAs自组装量子点的金属 半导体 金属双肖特基势垒二极管的输运特性 .随着温度上升 ,量子......
利用三端电测量方法,研究了调制掺杂二维电子气结构的量子点器件输运特性.报道了可分别测量二维电子气电阻和量子点隧穿电阻的实验......
研究了在CdSe/ZnSe自组装量子点中CdSe量子点的发光随着激发光强度变化的特性。发现当激发强度（I）变化3个数量级的时候,量子点发光的......
用五带k·p模型计算InAs/GaAs/InP及InAs/InP的室温PL谱的能级分布，分析PL谱峰值.发现GaAs的张应变层影响PL峰值位置，与InAs/InP......
半导体量子点由于三维量子限域效应导致其类原子分立能级结构的存在，可望得到性能优异的新型光电器件。如以量子点作为激活层的激光......
GaxIn1-xAs1-ySby和InAs1-xSbx量子点的响应波长覆盖低温辐射体热光伏(TPV)电池的最佳波段。目前已报道的高性能的低温辐射体锑化......
为确定异质结界面带阶，结合光致发光（PL）谱和深能级瞬态谱（DLTS）测量结果，利用有效质量近似理论，计算得到了InAs／GaAs自组装量子点结构的能......
InAs/GaAs量子点由于发光波长位于光纤无损窗口中而得到广泛深入的研究。若将成熟的InAs/GaAs量子点生长工艺和GaAsSb合金结合起来......
量子点结构的生长与特性的研究是一项具有重要理论意义和应用价值的课题。近年来，自组装量子点的生长与研究越来越受重视，而自组装技......
针对量子存储应用中自组装量子点发射的光子与自然原子系综波长匹配难的问题,通过金-金热压键合技术将含有量子点的纳米薄膜与压电......
