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InAs/GaAs量子点由于发光波长位于光纤无损窗口中而得到广泛深入的研究。若将成熟的InAs/GaAs量子点生长工艺和GaAsSb合金结合起来,充分利用GaAsSb合金禁带宽度可通过其组分的改变实现较大范围调节的特性,就能给能带工程带来更广阔的发展空间。本文就InAs/GaAsSb量子点的分子束外延生长及其发光特性展开了研究。在GaAs(100)衬底上生长了InAs量子点,利用高能电子衍射对量子点成核长大过程进行了原位监测,通过原子力显微镜形貌像统计了量子点的尺寸分布,并结合光致发光谱数据评估了量子点的质量。结果表明,在GaAs衬底上沉积InAs时,As和In束流等效压比值为23时,样品表面会出现尺寸较大的非共格纳米岛(incoherent nano-island),而将这一比例降低到10时,该现象消失。在InAs沉积过程中,分别插入0s、5s、20s的生长中断,随中断时间增长,对应量子点的平均高度增加,同时量子点的数密度略有下降。采用20s生长中断时,量子点呈现沿表面台阶边缘的择优分布。优化了GaAs (100)衬底上生长InAs量子点的工艺,在V/III比为10、中断5s、In束流等效压1? 10?8Torr.条件下得到密度达到388μm-2的InAs量子点。其光致发光谱半高峰宽52 nm,没有明显多模迹象,量子点的尺寸分布较为均一。使用Sb浸渍法生长了GaAs/GaAsSb超晶格,以评价GaAsSb外延层的质量。XRD分析表明,在Sb浸渍时间和束流都相同的情况下,在480℃下生长所得的GaAs/GaAsSb超晶格中Sb含量比500℃下得到超晶格更高; Sb浸渍时间和温度相同、Sb束流不同的情况下,较大Sb浸渍束流下得到的GaAs/GaAsSb超晶格中Sb含量更高。这一结论和光致发光谱分析结果一致。透射电镜衍衬像观察表明,优化后的Sb浸渍工艺制备出的GaAs/GaAsSb超晶格样品无明显缺陷。透射电镜高分辨像观察表明GaAsSb薄层界面平整度好,Sb置换量在1个原子单层左右。在GaAsSb外延层上生长了InAs量子点。原子力显微镜表面形貌观察表明,在类似工艺条件下得到的InAs/GaAsSb量子点的密度要低于InAs/GaAs量子点。反射式高能电子衍射斑点亮度观察表明,在GaAsSb表面直接生长InAs量子点,其临界厚度增大。分析认为这是Sb在表面富集引起InAs量子点的生长热力学参数改变所致。