纵向电场相关论文
对X波段带状注速调管单端口输入腔中间隙纵向电场(电子注方向)的场形平衡问题进行了研究。通过在另一侧腔体外加载封闭波导,使其内......
介绍由梯形电离室加上位置灵敏半导体探测器构成的望远镜的制造工艺、工作原理及其性能测试．探测器作为核反应测量的工具，在核物理实......
耦合阻抗是折叠波导慢波结构注-波互作用强度的重要指标.基于公式计算和软件模拟只能计算出冷腔耦合阻抗.本文对320GHz折叠波导振......
随着器件尺寸的不断缩小，器件中横向电场和纵向电场逐渐增大，在pMOSFET中NBTI和HCI退化越来越突出。本文主要研究了在NBTI和HCI......
作为非均匀偏振光,矢量光束以其优越的聚焦和传输特性,具有很好的应用前景,因此得到了研究人员越来越深入的分析研究。随着现代激......
在离子波纹激光器的基础上,改变电子束的入射方向,并做某种限制,从而设计出“无纵向电场分量的离子波纹摆动器”,使纵向电场分量的......
提出了一种可变低k(相对介电常数)介质层(variablelowkdielectriclayer,VLkD)SOI高压器件新结构,该结构的埋层由可变k的不同介质组......
根据电动势的概念,非静电力必须满足以下两点:第一,非静电力必须是电源内部作用于被搬运电荷上的微观力:第二,非静电力必做正功,即......
本文报道了一种新型的大动态范围，多叠层探测器系统组件之一的纵向电场气体电离室的构造，性能和在中能得离子核反应实验中的应用。......
本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响,并且在结构参数变化的......
提出了部分局域电荷槽SOI（partial locating charge trench SOI，PTSOI）高压器件新结构．该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷，此电......
提出了一种可变低κ（相对介电常数）介质层（variable low κ dielectric layer，VLkD）SOI高压器件新结构，该结构的埋层由可变κ的不同介质......
针对常规SOI器件纵向耐压低和自热效应两个主要问题，提出了变k介质埋层SOI（variable k dielectric buried Layer SOI，VkD SOI）高压功率......
提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型．该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷，此电荷使埋层介质......
提出复合介质埋层SOI（compound dielectric buried layer SOI，CDL SOI）高压器件新结构，建立其电场和电势分布的二维解析模型，给出CDLSOI......
介绍由梯形电离室加上位置灵敏半导体探测器构成的望远镜的制造工艺、工作原理及其性能测试。探测器作为核反应测量的工具，在核物理......
本文采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵向电场作用下量子阱中空间直接／间接激子的转化。在７７Ｋ低温下，我们从稳态光荧光谱（ＰＬ谱）上直......
研究了P埋层深度对体硅Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响。分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击......
超光速研究是物理学中的一个前沿。本文研究了与纵向电场相关的超光速问题, 讨论了直流电路中金属导线内的纵向电场以及电能的传输......
本文通过研究直流以及低频交流电能的传输过程,指出在电磁学问题中,除了由坡印亭矢量定义的电磁能流外,还有一种“经典”的能量传......
交流电源产生的电动势在电路的金属导线内产生了电势差以及纵向电场。纵向电场驱动了电子,形成了电流。纵向电场是非局域的。由于......
交流电源产生的电动势在电路内产生了交变电势差以及纵向电场。交变电场在金属导线内带动了电子运动,产生了电流和电功率。交流电(......
交流电源产生的电动势几乎瞬时地在电路内产生了交变纵向电场。交变电场在金属导线内带动了电子运动,产生了电流和电功率。对于几......
