NBTI和HCI在pMOSFET器件退化中的相互作用

来源 :第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ddeng
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  随着器件尺寸的不断缩小,器件中横向电场和纵向电场逐渐增大,在pMOSFET中NBTI和HCI退化越来越突出。本文主要研究了在NBTI和HCI退化共同作用下,纳米尺度pMOSFET的退化规律,通过交换源端和漏端进行饱和漏电流的测试,确定不同应力模式下产生缺陷的局域位置,分析了常RNBTI退化和HCI退化的相互影响,比较了NBTI和Vg=VdHCI应力模式下的失效机理,并且提出了相应的物理解释和模型。
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