硒化镓相关论文
二维GaSe材料是Ⅲ-Ⅵ族层状金属硫族化合物MX中的一员(MX:M=Ga,In;X=S,Se,Te。GaSe晶体是由四层Se-Ga-Ga-Se基本单元彼此间以范德......
中远红外激光和光电器件在军事和民用等领域都有广泛的应用.中远红外非线性光学晶体作为中远红外激光器的核心部件变得越来越重要,......
石墨烯的卓越性能激发了人们对具有新颖电学和光学特性的二维层状材料的极大研究兴趣。作为类似于石墨烯的二维层状材料,具有原子......
硒化镓（GaSe）晶体是一种综合性能优异的非线性光学晶体材料,在中远红外波段以及太赫兹波段都有重要应用。GaSe还可以作为二维材料应......
采用水平区熔法生长了碲（Te）掺杂浓度（质量百分比）分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓（GaSe）晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38......
层状半导体材料因其具有类石墨烯结构且具有可与石墨烯媲美的卓越光学和电学属性而受到广泛的关注,在新型场效应晶体管、发光二极......
传统器件通常不可弯曲且不透明,随着可穿戴器件的发展,可弯曲、透明的器件受到了极大关注,二维半导体材料在新型器件领域具有很大......
硒化镓是一种层状二维晶体材料,与石墨烯、二硫化钼类似,也具有二维材料特有的的力学、光学、电学特性。硒化镓的热效应、形变特性......
太赫兹波的产生与探测是太赫兹科学技术研究领域的重要内容，随着太赫兹波在航天遥感、成像、安检和通信等领域应用的不断发展，对产生......
GaSe是少数几种优秀的长波红外非线性光学晶体之一，它具有透光范围宽(0.65-18μm)，光吸收系数小(α＜0.01cm-1，2-12μm)，非线性光学系数......
采用水平区熔法生长了碲（Te）掺杂浓度（质量百分比）分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓（GaSe）晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38......
忆阻器由于其非易失性、低功耗、擦写速度快等优点,在存储器、逻辑器件和计算等领域具有广阔的应用前景。另一方面,二维材料由于二......
据科技部网站2017年11月13日报道,俄罗斯托木斯克理工大学表示,该校与德国、委内瑞拉的科学家最近证实了二维半导体硒化镓在空气中......
采用水平区熔法生长了碲（Te）掺杂浓度（质量百分比）分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓（GaSe）晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38......
MoS_2具有优异的力学性能、润滑性能、催化性能以及光电性能,因此在机械、化工以及光电探测等领域有着广泛的应用。在光电性能方面......
1. Introduction?? GaSe layered crystals are related to A3B6 binary compounds. Due to the sharp anisotropy of their ch......
Ga2Se3是典型的A2ⅢB3VI型半导体材料,它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注.采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价......
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概述了高度各向异性的,尤其是无掺杂和掺杂的层状半导体GaSe和相关晶体InSe、GaS和GaSe-GaS（固溶液）的结构特性、光学特性和非线性光......
发展应用于环境监测的高灵敏、快速响应的新型传感器对生活环境监测、人们的身体健康保护具有重要的意义。石墨烯与硒化镓纳米片都......
