传统器件通常不可弯曲且不透明,随着可穿戴器件的发展,可弯曲、透明的器件受到了极大关注,二维半导体材料在新型器件领域具有很大应用潜力。本文研究材料主要包括硒化镓（GaSe）、二硫化钼（MoS₂）以及六方氮化硼（h-BN）,使用机械剥离法制备了上述几种二维材料纳米片。提出一种利用定向转移技术将二维材料转移至柔性电极上制作柔性光传感器的方法,该方法适用于利用任意二维材料及其异质结构制作器件。本论文制成分别基于GaSe、h-BN/GaSe、MoS₂、h-BN/MoS₂、GaSe/MoS₂的柔性光传感器,对器件的性能进行检测和分析。较薄GaSe在空气中易氧化,导致器件容易失效。较厚GaSe器件在空气中的稳定性有改善,对405～635nm光有不同的响应,器件最大开关比可达1000。经h-BN封装可进一步提升器件的稳定性。器件响应度R_λ=12.2A/W,响应/恢复时间为100/40ms。MoS₂器件对405～670nm光均有明显光响应,较薄MoS₂器件在光照下响应度R_λ=101A/W,但光响应时间长,可达数十秒,器件开关比低（1.4）。对于较厚的MoS₂器件,二维材料与电极接触存在差异,无外加电压时仍具有光探测能力,响应度Rλ=0.4A/W。GaSe/MoS₂异质结构为II型。在相同测试条件下,GaSe/MoS₂异质结构、构建异质结构的MoS₂和GaSe的响应度分别为22、5100和11 mA/W,开光比分别为2300、2.6和900。异质结构光探测器的开关比最高,其响应度低于MoS₂并高于GaSe。其光响应时间为40ms,是GaSe器件响应时间的一半,比MoS₂器件响应时间低三个数量级,展示了异质结构在快速光探测领域的应用潜力。