激光分子束外延相关论文
复杂氧化物人工异质界面处晶格、轨道、电荷及自旋自由度之间的相互作用会引起二维电子气、超导及磁电耦合等迷人的物理现象及功能......
近年来,双钙钛矿氧化物由于其易于调控的晶格结构与具有多序参量之间的耦合等性质在多铁磁电功能材料领域受到了广泛的研究与关注......
本文采用激光分子束外延法,以TiN为缓冲层在Si(100)衬底上制备立方岩盐矿AlN薄膜,研究了缓冲层厚度对薄膜晶体结构、残余应力和表......
氧化锌(Zinc Oxide,ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV。其激子束缚能为60meV,远高于GaAs半导体材料(～10meV),......
日盲紫外探测技术在日盲紫外通信、导弹预警跟踪、火箭尾焰探测,量子信息、空间探测、高能物理、电晕探测、环境监察和生物医疗等......
强国富民，科技先行，科技发展，教育是根本，科学的未来在青年，科学的基础在中等教育，数理化是根基希望《中学生数理化》杂志为普及科学知识......
透明导电薄膜被广泛应用于平板显示,太阳能电池等发光行业。透明导电薄膜厚度的减少将导电薄膜的用途大为拓展,目前该薄膜的制备仍......
包括AlN，BN，GaN和AlGaN在内的Ⅲ-Ⅴ族半导体具有较宽的直接带隙，在紫外光源和探测器方面的有着很好应用前景，同时它们都具有出色的物理......
本论文概述了超晶格广阔的应用前景,并阐述了BaTiO3/SrTiO3超晶格材料的特点与其研究的重要性。在试验过程中,使用激光分子束外延......
第三代宽禁带半导体材料具有击穿场强大、热导率高、载流子迁移率高、抗辐射能力强等特性，在发光二极管(LED)、激光二极管(LD)等光......
本文采用激光分子束外延法在Si(100)衬底上制备立方AlN薄膜，系统研究了沉积工艺(主要是衬底温度、激光脉冲能量、N2分压)和TiN缓冲......
铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)薄膜太阳能电池是当前的研究热点之一。ZnO/CZTS P-N结是CZTS薄膜太阳能电池的核心,在CZTS和ZnO之间引入......
III-V族半导体立方AlN薄膜以其优异性能成为极具潜力的光电子和微电子器件材料。但是,立方AlN的亚稳特性使得其外延薄膜的质量较差......
近二十年来，为了将磁电子学应用到现在已经非常成熟的半导体产业 中，很多人逐渐把注意力集中到半导体磁电子学上来。这门新兴学科......
随着传统能源的枯竭和环境问题的恶化，作为可再生能源的太阳能已经在近几年取得了突飞猛进的发展，太阳能光伏发电等新型可再生能源将......
到目前为止,21世纪在磁学领域最惊人且具有潜在的巨大价值的发现可能就是在像ZnO和TiO2这样的半导体或绝缘体中掺杂少量的过渡金属......
采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示,TiN薄膜材料表面光滑......
利用自制高纯ZnO陶瓷靶材进行了ZnO薄膜的激光分子束外延(L-MBE)生长,发现ZnO薄膜的L-MBE生长的沉积速率远低于脉冲激光沉积(PLD)......
实验结果表明外延结构复杂的氧化物薄膜 ,基片温度在 6 0 0～ 6 5 0℃条件下 ,其表面原胞层的扩散时间是几十秒到上百秒 .根据此特点......
使用激光分子束外延 ,在SrTiO3 ( 1 0 0 )单晶衬底上成功生长了一系列c轴取向的 ,具有原子量级控制精度的BaTiO3 /SrTiO3 超晶格 .......
激光分子束外延是近几年才出现的一种新型高精密制膜技术,它集普通脉冲激光沉积(PLD)的特点和传统分子束外延(MBE)的超高真空精确......
采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的......
采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示, TiN薄膜材料表面光......
利用激光分子束外延技术在DyScO3（DSO）衬底上异质外延生长了SrTiO3（STO）薄膜.采用原位X射线衍射方法在20~300 K范围内测量了低温下薄膜......
本文用激光分子束外延,原子尺度控制的外延生长出多种钙钛矿氧化物薄膜和异质结.原子力显微镜和高分辨透射电镜测量结果表明,薄膜......
2014年4月9日，量子调控研究国家重大科学研究计划“过渡金属氧化物异质结在多场调控下的新奇物性及器件研究”项目工作部署会在北京......
用激光分子束外延（Laser Molecular Beam Epitaxy,L-MBE）设备在p型Si（111）衬底上制备了不同衬底温度和不同氧压的ZnO薄膜,用X射线衍射......
用激光分子束外延研究了SrTiO3同质外延时原位退火中,反射高能电子衍射(RHEED)强度的恢复--驰豫时间,导出了高真空下表面扩散的活......
采用激光分子束外延法（L-MBE）在SiNx/Si（111）衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）对薄膜的晶体结构、表面形......
研究了空气退火对于激光分子束外延（L-MBE）法制备的ZnO薄膜光学及结构特性的影响,报道了采用小角度X射线分析（GIXA）技术对于ZnO薄膜退......
在NH3和O2的混合气氛下,采用激光分子束外延法(L-MBE)在SiO2/p-Si衬底上制备了氮掺杂ZnO薄膜.XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍......
以发现Hg金属单质4.2 K的超导电性作为开端,超导领域相关科研探究工作迄今经历了一百多年的发展。它孕育了5次诺贝尔物理学奖,极大......
采用SrO和SrTiO3作为缓冲层,用激光分子束外延在Si(100)衬底上成功地外延生长出La1-xSrxMnO3(x=0.1,0.2,0.3)(LSMO)单晶薄膜.锐而......
GaN属于第三代半导体材料,具有化学性质稳定、带隙宽、电子迁移率高等特点,在光电和微电子器件、大功率电子探测、高温和高频电子......
采用激光分子束外延法在Si（111）衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体（MIS）结构。研究了结构......
与金属有机物化学气相沉积和磁控溅射相比, 激光分子束外延技术(L-MBE)是近年来发展的一种先进的薄膜生长技术, 在氧化锌薄膜生长......
采用激光分子束外延方法在Al2O3（0001）单晶衬底上进行了Zn1-xCdxO/ZnO单量子阱结构的生长,通过控制基底温度、氧气分压等,获得了阱宽......
利用激光分子束外延方法在温度为573K的单晶硅（100）衬底上制备了不同氧压条件下的氧化锌薄膜，对其结构和光学特性进行了研究．结果表明：......
简要介绍了脉冲激光薄膜沉积(PLD)技术的物理原理、独具的特点,并且介绍了在PLD基础上结合分子束外延(MBE)特点发展起来的激光分子......
用激光分子束外延方法在SrTiO3(100)基底上外延生长了BaNbxTi 1-xO3(0.01≤x≤0.03)导电薄膜.原子力显微镜测得BaNb0.3Ti 0.7O3薄......
采用激光分子束外延技术,在GaAs（100）衬底上,利用SrTiO3（STO）/TiO2复合缓冲层生长外延Pb(Zr0.52Ti0.48)O3（PZT）铁电薄膜。TiO2/STO复合缓......
铁电材料是材料家族的重要一员,而铁酸铋(BiFeO3, BFO)更是铁电材料领域的明星。自从1957年首次问世以来,BFO材料中的磁电耦合效应......
多铁性材料是指具有铁电、铁磁（反铁磁）、铁弹等两种或两种以上铁性有序共存的材料,并由于序参量间的相互作用而产生如磁电耦合等一......
ZnO是宽禁带直接带隙半导体材料,禁带宽度达3.37eV,ZnO的激子束缚能为60MeV,高于GaN材料的21MeV,更易于实现室温紫外受激发射。而......
近年来,电子信息系统为了缩小体积、增强功能,正快速向微型化以及单片集成化方向发展,对电子薄膜与器件提出了尺寸小型化和功能集......
