横向变掺杂相关论文
本文提出了一种的耐压技术——横向变厚度VLT技术，以及基于此技术的一种新耐压结构——阶梯漂移区SOI结构，并借助理论分析和二维器件......
提出了一种耐压技术——横向变厚度VLT技术，以及基于此技术的一种高压器件结构——变厚度漂移KSOI横向高压器件，借助二维器件仿真器M......
提出有n埋层的横向变掺杂双RESURF新结构高压LDMOS器件．该结构器件与常规LDMOS相比，采用了相对较薄的外延层，使之与标准CMOS工艺的兼......
目前,硅基高压大功率半导体器件依旧朝着高电压、大电流、低损耗的趋势发展。而功率器件所选用的终端结构会直接影响到器件的耐压......
功率MOSFET是应用非常广泛的半导体器件之一,其中垂直双扩散场效应晶体管(VD-MOSFET)主要应用在高电压低电流场合。反向击穿电压是......
大功率深结器件通常采用台面磨角技术和横向变掺杂(VLD)技术来提高其终端击穿电压,但由于VLD掺杂剖面难以精确控制并且对表面电荷......
击穿电压是垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)最重要的参数之一,器件的耐压能力主要由终端决定,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了击......
功率MOSFET器件作为能源管理的核心控制单元,由于具有良好的电学特性和低廉的成本,因而广泛应用在汽车电子、消费电子以及航空航天......
本文提出了在模拟有浮空场限环(FFLR’s)和横向变掺杂(VLD)结构的表面电场分布中所采用的一种新技术和新的环区边界条件,即低场点(......
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由MOSFET和双极型晶体管组成的一种复合型器件。IGBT不仅具有MOSFET驱动功率小和开关速度快的优点,还具......
VDMOS是新一代功率半导体器件,具有优良的电学特性,如输入阻抗高、驱动功率小、安全工作区宽,不仅广泛应用在民用领域,而且在军用......
