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大功率深结器件通常采用台面磨角技术和横向变掺杂(VLD)技术来提高其终端击穿电压,但由于VLD掺杂剖面难以精确控制并且对表面电荷比较敏感,所以不能有效得保证终端耐压特性和可靠性。为解决上述问题,本文以4.5kV GCT为例,提出了一种横向变掺杂-场限环(VLD-FLR)复合终端结构,采用Sentaurus-TCAD软件对其进行了二维数值仿真和研究。主要内容如下:第一,为了缓解VLD终端末尾电场集中问题并提高其可靠性,提出了深浅两级VLD-FLR复合终端结构。该终端结构采用深、浅结两级VLD来增加耗尽层的曲率半径,并在其末尾处增加了浓度较高的场限环,以降低终端击穿电压对表面电荷的敏感度。分析了深浅两级VLD-FLR复合终端的两种工艺实现方案,根据其掺杂剖面对该复合终端进行电特性分析,确定其终端结构参数,并结合器件电场强度分布、电流密度分布及击穿特性曲线研究了复合终端的耐压机理。最后分析了终端结构参数对终端击穿电压的影响,讨论了深浅两级VLD-FLR终端的工艺容差。第二,为了解决深浅两级VLD-FLR复合终端芯片面积较大的问题,提出了浅结VLD-FLR复合终端结构,该终端结构只采用了浅结VLD和浓度较高的场限环。分析了浅结VLD-FLR复合终端的三种工艺实现方案,根据其掺杂剖面对该复合终端进行电特性分析,确定其终端结构参数,并结合器件电场强度分布、电流密度分布及击穿特性曲线研究了复合终端的耐压机理,讨论了浅结VLD-FLR终端的工艺容差。最后,对比分析了深浅两级VLD-FLR和浅结VLD-FLR复合终端结构的击穿电压、击穿点位置、终端尺寸及工艺容差。第三,对比分析了高、低温及钝化膜中固定电荷密度对深浅两级VLD-FLR和浅结VLD-FLR复合终端击穿特性的影响,找出最优化的工艺方案。