抛光硅片相关论文
本文介绍在我们的采用OPSC溶浸式湿法化学清洗,串联的SC-1槽和兆声去除颗粒,O3工艺形成均匀硅氧化膜,最后用IPA系统干燥。整个系统......
采用旋转涂膜法在单面抛光硅片衬底上制得了纳米TiO膜,并用其对SO进行了光催化氧化研究。研究结果表明,在一定反应条件下,纳米TiO......
本文利用射频共溅射方法,在溅射气氛含氢与不舍氢条件下,在石英玻璃和抛光硅片衬底上沉积GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜。实验结......
介绍了采用OPSC溶浸式湿法化学清洗工艺,同时使用串联的SC-1槽和兆声功能来去除颗粒,使用含O的去离子水形成均匀硅氧化膜,最后用IP......
抛光硅片的背面处理起吸除器件区重金属杂质和减少晶格缺陷的作用。该文用ＳＥＭ、ＴＥＭ和光学显微镜研究硅片背面的机械损伤、软损伤和多晶硅......
硅片直接键合技术 (ＳＤＢ)就是把二片抛光硅片经表面清洁处理 ,在室温下预键合 ,再经高温键合而成为一个整体的技术。ＳＤＢ技术主要分两种 :......
硅表面微粗糙度对于现代微电子工艺是一个非常重要的参数.本文综述了硅片表面微粗糙度的研究进展,讨论了微粗糙度的测量和产生机理......
平面度测试仪主要适用于半导体制造工业中测量抛光硅片和高分辨率照相版的平面度，以保证硅片光刻和掩膜版复制的精度和质量。同时，也......
利用剂量为1013 cm～1016 cm-2,能量为0.4 Mev～1.8 Mev的电子束辐照Poly-SiO2/Si结构,对辐照后样品进行了C-V特性曲线测试.测试结果表......
铁杂质是硅片制造过程中常见的重金属沾污，表面光电压(SPV)法可很好地用于测定P型硅中铁杂质。本文通过SPV法测试不同流程制造的P型......
在自主搭建的压电雾化喷涂系统上，以RZJ-304正性光刻胶为研究对象，圆形抛光硅片为基材，研究了稀释体积比、预热温度以及喷涂层数对光......
通过对单晶硅外延表面反应机理和表面测试分析,发现抛光片表面粗糙程度对外延后0.12 um颗粒分布有影响。表面微粗糙度Ra在0.5~0.8 ......
研究了一种新颖的添加了表面活性剂和HF的RCA的改进工艺,并和标准RCA工艺与目前被广泛采用的稀释RCA工艺进行了比较后指出,改进工......
