微波功率器件相关论文
本文针对微波功率器件特殊的封装形式，分析了测量夹具引入误差的不可忽略性，进而对测量夹具的误差校准及整个测量系统的校准进行了介......
研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中，熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ 型半绝......
随着现代通信的发展,通信系统朝着大功率驱动和更加复杂调制方案发展。这种大信号状态下的微波器件的非线性特征变得更加明显,这类......
半导体微波功率器件在高频、大功率的应用中具有显著的优势,在现代社会中的应用也越来越广泛,通信、航天、计算机信号处理等领域都......
分析了时域无条件稳定算法加速计算的原理和由此造成误差的原因 ,提出并用实验验证了判断步内建模法( MPWT)模拟的瞬态热过程正确......
<正>随着移动通信技术的发展,LTE等准4G移动通信网络已经大规模部署,以LTE-A为代表4G标准已开始投入商用,下一代的5G通信标准也已......
提出了一种分析和了解微波功率 Ga As MESFET非线性效应的方法。主要是采用解析优化方法 ,提取 MESFET器件在不同偏置点下的本征元......
采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高......
N面GaN材料及器件是宽禁带半导体技术中的重要研究内容。对N面GaN材料及器件的概念、优势、研究现状以及存在的问题进行了系统的分......
文章针对Ｓ参数提取微波功率ＦＥＴ小信号等效电路参数方法，着重论述二种改进的算法，并应用于我所研制的微波功率２１００μｍ栅宽的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯的小信号等效电......
采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型HBT,利用数学方法,通过实验数......
提出了一个包含版图分布参数和引线寄生参数在内的微波功率HBT的宏模型，建立了通过微波仿真进行器件结构优化的技术方法。基于以上......
采用异质结双台面双极型结构设计微波功率器件,选择Si作发射区和集电区,Si1-xGex合金作基区的n-p-n型异质结双极性晶体管,利用数学......
硅微波功率器件因其具有功率大、可靠性好、工作电压低等优点，在通讯、雷达等诸多系统中有着广泛的应用。随着系统向小型化、高机动......
微波功率器件广泛应用于无线通信、雷达与电子对抗、军事装备以及医疗电子等系统中。本文介绍了微波功率器件的发展历程和应用领域......
GaN微波单片集成电路（MMIC）具有高工作电压、高输出功率、频带宽、损耗小、效率高、体积小、抗辐照等特点，具有诱人的应用前景，成为国......
（上接2012年第4期第61页）4．1．3KORRIGAN的成果KORRIGAN分为四个子项目：材料、工艺、可靠性、热量管理和封装。经过五年的努力，KORRIGAN已......
提出了计算功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ小信号模型参数的一些改进方法，包括计算Ｈｅｓｓｅ矩阵本征值和本征向量，确定各元件对总误差的敏感度、目标函数的优化顺序和......
应用验证是新型元器件走向实际工程应用必不可少的关键环节。从实际工程应用角度出发，给出了宽禁带半导体（SiC／GaN等）微波功率器件环境......
简要介绍了第3代新型半导体材料GaN的特点和优势,基于Agilent ADS微波仿真软件设计并实现了一款工作于S波段基于GaN的高效超宽带微......
介绍了对微波功率器件开展的动态加速寿命试验方法和技术的研究。主要阐述了实现振荡式微波动态寿命试验的方法，以及不同于常规的对......
Si的热导率比大部分化合物半导体（如GaAs）的热导率高，SiGeHBT在一个较宽的温度范围内稳定，SiGeHBT的发射结电压V雎的温度系数dVBE／dT比S......
介绍了微波功率器件的发展和前景,对HBT,MESFET和HEMT微波功率器件材料的特点和选取,以及器件的特性和设计做了分类说明.着重介绍......
利用声学扫描检测技术,揭示了热烧毁的微波功率器件氧化铍陶瓷基片与底座金属散热片的焊接不良现象;通过对样品的研磨与剥离,验证......
与硅双极型功率器件相比,LDMOS微波功率器件具有频带宽、输出功率高、功率增益高、线性度好、热稳定性好、没有二次击穿等诸多优点......
现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽。SiC MESFET具有高功率密度、高工作电压等优势，成为目前国际......
碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一。与传统......
我国成功自主研制了4英寸高纯半绝缘碳化硅半导体材料，为我国新一代雷达系统的研制奠定基础。近日，我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳......
该文针对固态微波功率器件的实际工作条件,选择Ga N固态微波功率器件,开展直流稳态加速寿命试验和射频动态加速寿命试验,通过二者......
简要介绍了一种W波段分布作用速调管的设计思路、设计方案和模拟结果,并给出了该管的测试结果。该管采用大压缩比圆柱电子枪和永磁......
电磁兼容对微波功率器件有着及其重要的意义,微波功率器件电磁兼容性能的优劣会对系统工作的稳定性和可靠性产生直接影响。论文从T......
氮化镓微波功率器件非常适用于卫星通信,而交调特性是通信载荷最重要的指标之一。文章首先结合器件输出特性测试结果,选取不同工作......
<正>微波功率器件是指工作频段在300M～300GHz这个微波波段内的电子器件,主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能,是现......
氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的一类理想材料.基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶......
固态微波功率器件由于其大功率、高频率、宽频带的特性,使其微波电参数的测试成为一大难点,特别是对非同轴、无内匹配的功率器件而......
隔离介质淀积是微波硅功率器件双层金属布线工艺中的核心工序。从隔离介质结构层次的选取入手，通过理论分析，选取SiO2-Si3N4两层介质......
应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的......
整个微波行业,包括防务、安全、工业和通信等领域,都在不断变化发展中。从高功率这一角度出发,推动防务发展的动力一方面是基于宽......
<正>金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性,在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及......
在回流动力学理论和实验研究的基础上 ,将回流加固结构应用于实际微波功率器件 .结合器件具体结构和制备工艺 ,对金属化布线电流分......
本文提出了一种带栅漏间表面p型外延层的新型MESFET结构并整合了能精确描述4H-SiC MESFET工作机理的数值模型,模型综合考虑了高场......
