应变驰豫相关论文
用ＵＨＶ／ＣＶＤ法在７８０℃生长了锗硅外延层，并利用双晶Ｘ射线衍射仪研究了组分渐变缓冲层对外延层晶体质量的影响。结果表明，缓冲层的组分从衬底到外延......
会议
自从二十世纪九十年代发现钙钛矿结构的锰氧化物具有巨磁电阻效应以来，钙钛矿结构的锰氧化物的巨磁电阻效应成为了人们关注的热点。......
我们用全外反向掠入射衍射，研究了BaTiO3/SrTiO3(BTO/STO）超晶格（SLs）的界面应变和应变驰豫行为。在总厚度超过临界厚度的情况下，应变驰......
采用Raman光谱对高Ge含量的锗硅合金中的应变驰豫进行研究,运用Mooney的两种方法对合金中Ge成分及应力进行了分析,并用HRXRD对其分......
采用UHV／CVD系统，在Si衬底上生长了具有渐变Si1-xGex缓冲层结构的驰豫Si0.76Ge0.24虚衬底和5周期的Si0.76Ge0.24/Si多量子阱，在渐变Si......
作者首次用Ｘ射线双晶衍射技术对注入Ａｓ＾＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的晶格损伤消除和应变驰豫进行了研究，并与未注入Ａｓ＾＋的Ｓｉ０＼５７Ｇｅ０＼４３合金的应变驰豫进行了比较。结表明，退火......
不同厚度的La0．7Sr0．3MnO3（LSMO）外延薄膜被沉积到立方相的LaAlO3（001）单晶衬底上，XRD测试结果显示，LSMO外延膜的结构是单相的，具有与衬底相......
InAlSb/InSb薄膜材料的晶体质量会直接影响器件的性能。提高薄膜材料的晶体质量可以有效降低器件的暗电流,提高探测率和均匀性等。......
