报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温(5—10 K)条件下的各种光学性质.磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱......

报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2-5 K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(m......

报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在极低温至室温(1.4-296K)条件下的各种光学性质.反射光谱显示了对于非掺......

采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge......

采用UHV／CVD系统，在Si衬底上生长了具有渐变Si1-xGex缓冲层结构的驰豫Si0.76Ge0.24虚衬底和5周期的Si0.76Ge0.24/Si多量子阱，在渐变Si......