InAlSb相关论文
摘 要： 基于经典Varshni模型，提出了In1-xAlxSb的能带值Eg随Al组分和温度变化的经验关系Eg（x， T），并通过已有的文献数据对该公式进行有效......
结合相关文献对近年来InSb基MBE外延InSb(InAlSb)材料工艺及器件性能进行了梳理分析和总结,对还存在的问题进行了探讨。InSb基外延......
高Al（10%~15%）组分的In_（1-x）Al_xSb层可作为势垒层以抑制隧穿暗电流、提高器件工作温度而显得很重要。采用分子束外延的方法对InSb（100......
接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向。本文论述了用MBE在InSb（100）衬底上外延生长制备P-i-N型三元In1-xAlxSb......
InAlSb/InSb薄膜材料的晶体质量会直接影响器件的性能。提高薄膜材料的晶体质量可以有效降低器件的暗电流,提高探测率和均匀性等。......
采用分子束外延生长方法在In Sb（100）衬底上生长p+-p+-n-n+势垒型结构的In1-xAlxSb外延层。运用X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分......
采用分子束外延的方法进行了低Al组分In1-xAlxSb薄膜的生长和优化。通过在InSb（100）衬底上外延生长一系列不同条件的In1-xAlxSb薄膜,......
