应变多量子阱相关论文
采用感应耦合等离子体刻蚀技术对InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱材料的覆盖层进行了不同厚度的干法刻蚀.实验......
利用新型全固源分子束外延技术 ,对 1 .5 5 μm波段的 In As P/ In Ga As P应变多量子阱结构的生长进行了研究。实验表明 ,较低的......
通过计算应变多量子阱中的净应力和应变弛豫，讨论了激光器结构中应变多量子阱的稳定性。净应力是失配位错增殖的驱动力，是应变多量子......
目的研究应变多量子阱中内建电场对温度的响应,探索其温度传感特件.方法针对沿任意方向生长的应变多量子阱材料,讨论应变随着温度......
由于高亮度发光二极管(HB-LED)可应用于室外大屏幕显示，交通指示灯，汽车尾灯，液晶显示背光源等领域，甚至可进入照明领域，将引发一场照明......
本文首先从理论上分析并计算了压缩应变多量子阱激光器的增益特性，并且讨论了在多量子阱垒区进行ｐ型强调制掺杂的情况下，价带空穴的准......
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器综合了可获得近衍射极限的TEM00模圆形光斑的垂直腔面发射半导体激光器和高功率激光二极管泵浦......
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器是在电抽运垂直腔面发射半导体激光器的基础上结合二极管泵浦固体激光器技术发展起来的新型半导......
