太阳盲区相关论文
在MOCVD生长的i-Al0.33Ga0.67N/AIN/n-CaN的异质结构上成功研制了太阳盲区的AIGaN肖特基紫外探测器,肖特基接触和欧姆接触分别采用Au......
在MOCVD生长的i-Al0.33Ga0.67N/AIN/n-CaN的异质结构上成功研制了太阳盲区的AIGaN肖特基紫外探测器,肖特基接触和欧姆接触分别采用Au......
随着紫外探测器向太阳盲区的发展,对于AlGaN外延材料质量的要求也越来越高,本文以P-i-N结构的AlGaN多层外延材料为研究对象,利用X......
本文分别在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)生长的i-Al0.33Ga0.67N/AlN/n-GaN和p-Al0.45Ga0.55N/i-Al0.45Ga0.55N/n+-Al0.65Ga0.35N的......
AlGaN基光电探测器在军事高科技和民品市场通讯和成像方面具有很高的价值.分析了AlGaN p-i-n光电探测器的结构对性能的影响,深入阐......
据美国《Laser Focus World》杂志Vol.47,Issue 11报道,在太阳盲区,我们大气层中的臭氧层可吸收几乎100%波长短于285 nm的太阳能量......
基于半导体紫外光探测器的基本类型,在对半导体紫外探测器的研发历史进行简要回顾的同时,综述了各种形式GaN基紫外探测器的研究开......
在漂移扩散方程的基础上建立了AlGaNp-i-n光电探测器的物理模型,分析了多种结构AlGaNp-i-n光电探测器的光谱响应,并讨论了AlGaN/Ga......
本文报道了肖特基二极管深紫外光电探测器的制备。此器件制作在GaN外延层上,其中外延层利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)的方法生长在......