声表面波材料相关论文
从20世纪80年代首次报道至今，硅酸镓镧(LaGaSiO，简称LGS)晶体的研究一直为人们所关注。研究表明，硅酸镓镧晶体是一种性能优异的压电材......
AlN具有优异介电性、压电性,是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了AlN薄膜材料的特......
研究了磁控溅射和电子束蒸镀工艺对在LiNbO3基片上沉积铝膜的结构、表面形貌的影响.采用匀胶、曝光和反应离子刻蚀工艺,制备出中心......
随着第三代通讯技术的发展,声表面波(SAW)器件的使用频率不断提高,从最初的数MHz发展到现在的数GHz,如应用于1.9GHz的个人通讯服务......
对LN晶片进行了Sr^2+扩散的实验研究，研究表明，LN晶体的Sr^2+扩散宜选择LNLi：SrO=80:20的陶瓷粉为扩散源，于950℃下扩散25h。Sr^2+扩散......
用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法在以单晶Ｓｉ（１１１）为基底材料上制备出了Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７薄膜，对其工艺过程进行了研究，讨论了主要控制参数的作用。......
2016年2月19日,科技部发布《关于发布国家重点研发计划高性能计算等重点专项2016年度项目申报指南的通知》（国科发资〔2016〕38号）,......
