发射极电流相关论文
很多设计都需要精确的压控电流源,特别是那些存在可变负载的情况.通常是使用几个运算放大器和若干无源元件来构成电路,但是由于元......
发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的 ,描述该效应的微分方程早已建立 ,这里设计了一种用 SPICE验证精确解 /近似......
本放大器的设计灵感来自晶体管的电流——既然晶体管的集电极电流与发射极电流接近相等,那么用这两种电流各驱动一只喇叭,就能用同......
本文通过对教材的分析，探讨了半导体三极管放大原理的教学过程和方法。...
发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的，描述该效应的微分方程早已建立，这里设计了一种用ＳＰＩＣＥ验证精确解／近似解的新方法。......
<正> 一、导言 1.1 设计方案的目的本文的目的是研制一种在960～1215兆赫下输出峰值微波功率为1000瓦的宽带工作的放大器,该放大器是......
<正> 近代无线电技术、核物理以及其他一些科学技术领域中,很广泛地应用了毫微秒脉冲.例如:高速数字电子计算机、高分辨率的雷达、......
微波晶体管可以作为6千兆赫下的小信号放大器和4千兆赫下的功率放大器。所有微波晶体管几乎都是硅平面型的。功率晶体管采用三种典......
半导体三极管在饱和区工作时,其等效电路可以用一个三极管及一个由集电极及基极构成的二极管联成的电路表示出来,其中三极管在有源......
<正>三极管是最重要的电子器件。如果没有三极管的发明,就没有今天的电子电路技术和微电子技术。美国科学家巴丁制作成功世界上第......
