通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程......

本文提出了一种动态地控制IGBT阳极短路的结构，并把这种结构用于具有高低侧驱动和半桥式功率输出级的功率集成电路低侧管中.这种结......

通过在SOI－LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构，IGBT的性能值以大幅提高，p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到，在IGBT关断过程中，p－M......