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[期刊论文] 作者：李树强,夏伟,马德营,张新,徐现刚,蒋民华,,
来源：光电子·激光 年份：2006
通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利用LP-MOCVD技术生长了不同厚度多量子阱(MQW)...
[期刊论文] 作者：夏伟,王翎,李树强,张新,马德营,任忠祥,徐现刚,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂，制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料。后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器。该激光器阈值电流最...
[会议论文] 作者：宁丽娜,胡小波,陈秀芳,李娟,王英民,姜守振,徐现刚,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文用升华法生长出了电阻率高达1.8×1010 Ωcm的半绝缘6H-SiC体块晶体.用二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry-SIMS)、辉光放电质谱(Glow Discharge Mass Spectr...
[期刊论文] 作者：李树强,马德营,夏伟,陈秀芳,张新,任忠祥,徐现刚,蒋民华,,
来源：光电子·激光 年份：2006
利用石英闭管法，对Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片进行Zn扩散，分析了扩散温度和时间2个参数对Zn扩散的影响。采用光致发光（PL）谱和电化学蒸涂（ECV）方法研究了Zn扩散产生的影响。PL谱......
[期刊论文] 作者：李现祥,胡小波,董捷,姜守振,李娟,陈秀芳,王丽,徐现刚,王,
来源：人工晶体学报 年份：2006
本文模拟了升华法生长6H-SiC单晶的不同温度场，并进行了相应的生长实验。结果表明：改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置，可以改变温度场形状；下移石墨坩埚；可以增大温度场径向温度梯......
[期刊论文] 作者：姜守振,李娟,陈秀芳,王英民,宁丽娜,于光伟,胡小波,徐现刚,
来源：人工晶体学报 年份：2006
本文在背景Ar气压力为8×10^4Pa、温度为1800～2000℃的条件下，对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理，利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H—SiC晶片表面进行...
[期刊论文] 作者：李娟,胡小波,姜守振,王英民,宁丽娜,陈秀芳,徐现刚,王继扬,
来源：人工晶体学报 年份：2006
AIN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表，具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在制作大功率微电子器件和紫外探测器等方面，具有广泛的应用前景......
[期刊论文] 作者：姜守振,黄先荣,胡小波,李娟,陈秀芳,王英民,宁丽娜,徐现刚,
来源：功能材料 年份：2006
利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H—SIC（0001）晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究。小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11^-00〉方向分布。根据螺位错附近的应变...
[期刊论文] 作者：李现祥,董捷,胡小波,李娟,姜守振,王丽,陈秀芳,徐现刚,王,
来源：功能材料 年份：2006
采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H—SiC单晶片中的微小多型结构。基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向，计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成...
[期刊论文] 作者：李娟,胡小波,姜守振,陈秀芳,李现祥,王丽,徐现刚,王继扬,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
AIN是一种重要的半导体材料，由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性，在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景。本文综述了国际上AIN单......
[期刊论文] 作者：姜守振,黄先荣,胡小波,李娟,陈秀芳,王英民,宁丽娜,徐现刚,蒋,
来源：功能材料 年份：2006
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[期刊论文] 作者：李娟,陈秀芳,马德营,姜守振,李现祥,王丽,董捷,胡小波,徐现刚,
来源：功能材料 年份：2006
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[期刊论文] 作者：姜守振,黄先荣,胡小波,李娟,陈秀芳,王英民,宁丽娜,徐现刚,蒋民华,,
来源：功能材料 年份：2006
利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究。小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11-00〉方向分布。根据螺位错附近的应变...
[期刊论文] 作者：李娟,胡小波,姜守振,王英民,宁丽娜,陈秀芳,徐现刚,王继扬,蒋民华,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
AlN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在制作大功率微电子器件和紫外探测器等方面,具有广泛的应用前...
[期刊论文] 作者：李娟,胡小波,姜守振,陈秀芳,李现祥,王丽,徐现刚,王继扬,蒋民华,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
A lN是一种重要的半导体材料,由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性,在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景。本文综述了国际上A...
[期刊论文] 作者：李现祥,胡小波,董捷,姜守振,李娟,陈秀芳,王丽,徐现刚,王继扬,蒋民华,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
本文模拟了升华法生长6H-S iC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验。结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向...
[期刊论文] 作者：姜守振,李娟,陈秀芳,王英民,宁丽娜,于光伟,胡小波,徐现刚,王继杨,蒋民华,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800~2000℃的条件下,对升华法生长S iC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-S iC晶片表面进行了...
[期刊论文] 作者：李娟,陈秀芳,马德营,姜守振,李现祥,王丽,董捷,胡小波,徐现刚,王继扬,蒋民华,,
来源：功能材料 年份：2006
半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能。本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理。加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度...
[期刊论文] 作者：李现祥,董捷,胡小波,李娟,姜守振,王丽,陈秀芳,徐现刚,王继扬,蒋民华,田玉莲,黄万霞,朱佩平,,
来源：功能材料 年份：2006
采用同步辐射白光形貌术观察了6H和4H-SiC单晶片中的微小多型结构。基于透射同步辐射形貌术的衍射几何和晶片的取向,计算了SiC晶体中3种主要多型在Lane像中对应不同反射的成...
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