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期刊论文
AlN单晶生长研究进展
AlN单晶生长研究进展
来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:saraxian
【摘 要】
:
AIN是一种重要的半导体材料,由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性,在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景。本文综述了国际上AIN单
【作 者】
:
李娟
胡小波
姜守振
陈秀芳
李现祥
王丽
徐现刚
王继扬
【机 构】
:
山东大学晶体材料国家重点实验室
【出 处】
:
人工晶体学报
【发表日期】
:
2006年1期
【关键词】
:
氮化铝
升华法
坩埚材料
aluminum nitride PVT crucible materials
【基金项目】
:
国家自然科学基金(No.50472068)和教育部“新世纪优秀人才科技计划”资助项目
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AIN是一种重要的半导体材料,由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性,在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景。本文综述了国际上AIN单晶生长的研究进展,对其结构特点、生长方法的选择、生长过程中的问题及存在的结构缺陷等方面进行了介绍。
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