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利用石英闭管法，对Mg掺杂AlInP 650 nm LD外延片进行Zn扩散，分析了扩散温度和时间2个参数对Zn扩散的影响。采用光致发光（PL）谱和电化学蒸涂（ECV）方法研究了Zn扩散产生的影响。PL谱结果表明，Zn扩散引起了AlGaInP／GaInP多量子阱（MOW）有源层的组分无序，使PL谱的峰值蓝移，最大蓝移为54nm，约175meV。ECV测量结果显示，Zn已经扩散到MOW有源区，MOW区域的P型载流子浓度为4．4×10^17cm^-3。