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[期刊论文] 作者：隋乾运,,
来源：集成电路应用 年份：1987
日本国际公司公布了把64K、256KDRAM同国际以及其它一些公司的微处理机接口的8208控制器。该产品是这家公司的8208HCMOS型,可以供给典型的64K、256KDRAM控制用的全部信号。...
[期刊论文] 作者：刘朝辉, 王永红,,
来源：无线电通信技术 年份：2011
针对2起RCS-931型继电保护64K通道的典型故障现象,进行了详细的分析和研究。分析了电流差动保护装置、PCM和光端机通信设备之间的2M、64K通道配合关系,并结合纵联电流差动保...
[期刊论文] 作者：Bott,E 蒋啸奇,
来源：电子与电脑 年份：1995
Windows超越了DOS的640K屏障,却又面临着新的障碍——由两个较小的64K内存块构成的屏障。这些狭窄的空间称为“堆”,它供Windows记录基本系统资源,诸如窗口、菜单、对话...
[期刊论文] 作者：王俊龙,唐如意,王凯红,,
来源：河北电力技术 年份：2012
分析64K数字专线通道在电能量采集系统中的应用情况,提出一种基于KLD-3001C硬件电路板,＂打环测试、分段定位＂的64K数字专线通道故障处理方法。...
[期刊论文] 作者：吴中华,
来源：真空科学与技术 年份：1988
一、引言64K DRAM-CM4864（64K动态随机存贮器）是目前国内集成度最高、线条最窄的超大规模集成电路（VLSJ）。在芯片面积为（3.93×7.56）mm2上集成了15万多个元件。...
[期刊论文] 作者：王佳如,,
来源：集成电路应用 年份：1987
在制造1.5μm的CMOS集成电路过程中,采用双层金属处理所得到的MCM6287和MCM6288 64K位静态RAM的存取时间仅25毫微秒。...6287门排列成64K×1位RAM,6288门则具有16K×4位的结构...
[期刊论文] 作者：Ronald.P Cenker,房振华,
来源：微电子学 年份：2004
64K动态随机存储器设计要考虑的几个主要问题是:(1)与16K产品的相容性;(2)提供足够强度的读出信号,(3)电流峰值与平均值降到最低;(4)可高成品率制备。本文讨论了上述诸因素...
[期刊论文] 作者：,
来源：电子产品世界 年份：2005
盛群的串行EEPROM新产品编号为HT24LC64，使用两线式串行接口，总共有64K位内存容量，内存架构为8192×8位。...
[期刊论文] 作者：KiyooItoh,RyoichiHori,HirooMasuda,YoshiakiKamigaki,HiroshiKauramoto,HisaoKatto,
来源：电子器件 年份：2004
本文介绍一种带衬底偏压发生器的5伏单电源64K动态RAM,其周期时间为300毫微秒时的典型功耗170毫瓦,典型的存取时间为120毫微秒,芯片面积为25.8平方毫米。为防止软差错,采用了...
[期刊论文] 作者：,
来源：计算机应用文摘 年份：2009
我用的是动感地带手机卡（动感地带2．0），上面有一个“64K”的标志。刚开始我一直认为这是手机卡的存储空间，但后来我用同学的手机上网，网速明显比我的快，而他的卡上面的标志为“128K...
[期刊论文] 作者：联合研制组,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
64K动态随机存贮器已于1986年5月13日研制成功。该电路采用3.0微米HMOS技术,其主要性能为:行取数时间tRAc≤200ns(周期为335ns);功耗(工作/维持)≤330mW/20mW。...
[期刊论文] 作者：黄子伦,
来源：微电子学 年份：2004
64K动态存贮器用的基本工艺技术 。 光刻技术{凳娄袭蕞剂 ;篓茬竺耋磊等倍投影曝光 腐蚀技术 {湿法腐蚀一同时采用等离子千法腐蚀 元件间隔离技术 j选择氧化法 栅氧化技术 i...
[期刊论文] 作者：王毅,
来源：微电子学 年份：2004
从美国IBM公司开始,世界各计算机厂家展开研制超LSI竞争,而日本电电公司首先研制成功单片64K位超LSI存贮器。从76年开始,以电电公司武芷野电气通信研究所为中心,在日本电气...
[期刊论文] 作者：John.Y.Chan,李添臣,
来源：微电子学 年份：2004
本文介绍了一种彩双层多晶哇工艺的高性能64K位5伏MOS动态RAM。典型存取时间100ns，工作功耗小于120mW。...
[期刊论文] 作者：,
来源：电子测试：新电子 年份：2006
ZiLOG为巩固其微控制器（MCU）在万能红外遥控（UIR）市场上的地位，近日宣布推出一款内建学列功能的新型64K微控制器，该产品不但使用方便、性能卓越，还大幅降低客户的总体成本。...
[期刊论文] 作者：王桂珍,郭晓强,李瑞斌,白小燕,杨善潮,林东生,龚建成,
来源：原子能科学技术 年份：2010
对64K CMOS随机存储器6264进行了＂强光一号＂长脉冲辐射状态和短脉冲辐射状态下的辐照实验,测量了存储器翻转效应,分析了不同脉冲宽度下效应的差异,绘制了存储单元的翻转位图,研...
[学位论文] 作者：姜凡,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2004
该文主要对部分耗尽CMOS SOI器件、电路的特性和设计展开研究,针对新开发的0.8um部分耗尽CMOS SOI工艺,完成了配套PCM、电路工具版以及部分耗尽CMOS SOI 64K静态存储器的电路...
[期刊论文] 作者：郭天雷,赵发展,刘刚,李多力,李晶,赵立新,周小茵,海潮和,,
来源：半导体学报 年份：2007
在国内首次使得1.2μm部分耗尽SOI 64k静态随机存储器的抗总剂量能力达到了1×10^6 rad（Si）,其使用了SIMOX晶圆....
[期刊论文] 作者：松原健司,王秀春,
来源：微电子学 年份：2004
由于国家半导体公司的NMC4164型64K位RAM将PDP(多晶硅-介质-多晶硅)电容器应用于存储单元,所以不仅方式与以往不同且可以改善集成度和各种特性。因为在构造方面是用与各个读...
[期刊论文] 作者：中端,,
来源：计算机与网络 年份：1985
HM6287系列是存取时间为55ns、70ns和高速的64K×1比特的静态RAM,可用于高速计算机的主存储和图象处理终端的缓冲存储等。外形有22条引腿,7.62mm DIP和陶瓷LCC两种类型。工...
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