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[学位论文] 作者：郝永芹,,
来源： 年份：2002
通过光纤把外部光源引入SOI集成光路时，为减少偶然因素对耦合效率的影响，需解决光纤定位问题，以及为提高多通道波导型器件、半导体激光器阵列、光开关阵列等与光纤的耦合效率问......
[学位论文] 作者：郝永芹,,
来源：长春理工大学 年份：2007
垂直腔面发射激光器（VCSELs）自问世以来，成为许多应用领域特别诱人的光源，如在光通信，光计算，光互联，激光打印及光存储等方面。VCSELs的主要优点是其低成本的制作与封装，低驱动电流，低......
[期刊论文] 作者：陈磊,郝永芹,
来源：电子世界 年份：2020
本文主要围绕垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的湿法氧化工艺开展研究,通过阅读大量相关文献,了解垂直腔面发射激光器的制造工艺,并通过分析设计湿法氧化工艺参数,实现VCSEL芯片...
[期刊论文] 作者：满旭,郝永芹,
来源：中国科技论文 年份：2018
为了解决传统溶胶凝胶方法制备透明导电薄膜面电阻较高的问题,在蓝宝石衬底上制备铟锌氧薄膜,使用脉冲激光对薄膜进行后处理。通过X射线能谱分析、X射线衍射、拉曼光谱仪、四...
[期刊论文] 作者：罗妍,郝永芹,晏长岭,
来源：红外与毫米波学报 年份：2021
研究了一种940 nm GaAs基VCSEL的高折射率对比度亚波长光栅反射镜(HCG),采用GaAs/AlOx光栅结构,讨论了TE偏振时光栅结构中各参数对反射光谱的作用规律,分析TE、TM不同偏振时反射镜的结构特点,及形貌误差对高反射带的影响.设计的TE-HCG的高反射带中心为940 nm,在......
[期刊论文] 作者：冯大伟,袁中朝,冯源,郝永芹,,
来源：半导体光电 年份：2011
为改善高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流注入均匀性,提高光束输出质量和器件的输出功率,设计并研制出808nm高功率网状电极VCSEL。将VCSEL P面的注入电极由传统的环形结构...
[期刊论文] 作者：张秋波,冯源,李辉,晏长岭,郝永芹,
来源：中国激光 年份：2020
在氧化物限制型垂直腔面发射激光器制备中,刻蚀GaAs/AlGaAs时因异质型材料常出现选择性内蚀现象,这会直接影响后续的氧化工艺及电极钝化的效果。针对因选择性内蚀而出现的“镂空”现象,对湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺进行详细研究,研究结果表明通过调整刻蚀液体......
[期刊论文] 作者：朱坤, 李辉, 郝永芹, 钱冉, 王东岳,
来源：中国激光 年份：2020
半导体激光器发射光谱中的边模存在恶化了其光束质量，严重限制了其在通信领域中的应用。本文基于分布布拉格反射器（DBR）半导体激光器中光栅的占空比、耦合系数、材料折射率三者之间的关系，研究了光栅占空比分布对边模抑制的影响，同时对矩形均匀光栅和矩形渐变占空比......
[期刊论文] 作者：赵英杰,郝永芹,姜晓光,李海军,刘波,,
来源：长春理工大学学报 年份：2006
设计了一种新结构垂直腔面发射激光器（VCSEL），即采用环形分布孔结构取代以往的环形沟槽结构。由于环形分布孔间形成多个桥，为电注入提供了天然的桥状通道，很好的解决了电极过沟断......
[期刊论文] 作者：杨凯,钟景昌,郝永芹,晏长岭,黄波,,
来源：长春理工大学学报(自然科学版) 年份：2007
采用一种新工艺制备垂直腔面发射激光器阵列（VCSELs）的方法。用环形分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口，孔的分布是由出光孔、侧向氧化深度和湿法腐蚀深度等......
[期刊论文] 作者：赵英杰,郝永芹,李广军,冯源,侯立峰,,
来源：中国激光 年份：2009
为改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高其光电性能,研制了新型辐射桥结构的VCSEL,即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道。研...
[期刊论文] 作者：王小龙,邹永刚,郝永芹,马晓辉,刘国军,
来源：发光学报 年份：2020
设计了一种具有内腔耦合层的850 nm液晶可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,从而获得了更宽的波长调谐范围以及稳定的偏振模式输出。通过分析在不同液晶层厚度下,两种偏振...
[期刊论文] 作者：马建立,钟景昌,郝永芹,赵英杰,乔忠良,李海军,,
来源：长春理工大学学报(自然科学版) 年份：2007
温度是影响半导体激光器特性的重要因素,对半导体激光器温度特性测试有重要的意义.本装置抛开传统的恒温测量方法,采用自动改变温度,并在不同温度下记录激光器的特性参数的方...
[期刊论文] 作者：侯立峰,钟景昌,孙俘,赵英杰,郝永芹,冯源,,
来源：兵工学报 年份：2010
为提高808nm、垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的输出功率与电光转换效率，对其湿法氧化工艺进行了实验研究。采用扫描电镜（SEM）的微区分析功能，对样品氧化层按不同的氧化深度进行......
[期刊论文] 作者：郝永芹,钟景昌,谢浩锐,姜晓光,赵英杰,王立军,
来源：半导体学报 年份：2005
采用一种新的工艺方法提高了垂直腔面发射激光器的输出功率．采用开环分布孔代替环形沟槽，使器件的输出功率提高了0．34倍．14μm孔径的器件输出功率超过10mW，工作电流为29．6mA时，最大......
[期刊论文] 作者：郝永芹,钟景昌,谢浩锐,姜晓光,赵英杰,王立军,,
来源：半导体学报 年份：2005
采用一种新的工艺方法提高了垂直腔面发射激光器的输出功率.采用开环分布孔代替环形沟槽,使器件的输出功率提高了0.34倍.14μm孔径的器件输出功率超过10mW,工作电流为29.6mA...
[期刊论文] 作者：冯源,晏长岭,郝永芹,王勇,芦鹏,李洋,李再金,,
来源：长春理工大学学报(自然科学版) 年份：2014
为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用...
[期刊论文] 作者：谢检来, 郝永芹, 张家斌, 晏长岭, 马晓辉, 王志伟,,
来源：发光学报 年份：2018
设计并研究了一种工作于2μm波段的Ga Sb基亚波长高对比度光栅反射镜,其具有低折射率光栅层结构。通过严格耦合波理论优化结构,以最大限度地满足VCSEL腔面反射镜对反射率带宽...
[期刊论文] 作者：侯立峰,冯源,钟景昌,杨永庄,赵英杰,郝永芹,,
来源：光子学报 年份：2009
为实现对垂直腔面发射半导体激光器氧化孔径的精确控制,提高其光电特性,对湿法氧化工艺进行了实验研究.在不同的氧化温度下,对相同结构的垂直腔面发射半导体激光器模拟片进行...
[期刊论文] 作者：郝永芹,刘文莉,钟景昌,张永明,冯源,赵英杰,,
来源：兵工学报 年份：2007
通过对垂直腔面发射激光器（VCSEL）台面结构的深入研究，提出了新型环形分布孔结构。并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性，而且输出功率......
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