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采用一种新工艺制备垂直腔面发射激光器阵列（VCSELs）的方法。用环形分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口，孔的分布是由出光孔、侧向氧化深度和湿法腐蚀深度等因素决定的。经分析设计后孔的分布以十个孔最佳，分布孔之间是天然的电流注入通道解决了电极过沟断线问题。由瞬态热传导方程对阵列单元器件的热相互作用进行了理论分析。阵列中单元器件的出光孔径为400μm，在室温下连续输出光功率为0．6w，峰值波长为808nm。