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设计了一种新结构垂直腔面发射激光器（VCSEL），即采用环形分布孔结构取代以往的环形沟槽结构。由于环形分布孔间形成多个桥，为电注入提供了天然的桥状通道，很好的解决了电极过沟断线问题。并且器件表现了很好的输出特性，这种新结构器件的输出功率约为以往结构器件的1．34倍。
垂直腔面发射激光器的新结构设计
【摘 要】
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设计了一种新结构垂直腔面发射激光器（VCSEL），即采用环形分布孔结构取代以往的环形沟槽结构。由于环形分布孔间形成多个桥，为电注入提供了天然的桥状通道，很好的解决了电极过沟断
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
【出 处】
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长春理工大学学报
【发表日期】
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2006年4期
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