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[期刊论文] 作者：王洪,林璇英,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1997
利用ＰＥＣＶＤ方法及后处理工艺制备了具有室温可我区光致发光效应的纳米晶硅薄膜材料，对其光吸收，光能隙以及电导率等特性参数进行了测试研究。发现该薄膜的可见光区吸收比ＰＥＣＶＥ方法制备的微......
[期刊论文] 作者：林璇英,林揆训,
来源：功能材料 年份：1992
在一个等离子体化学气相沉积(PCVD)系统中,用射频辉光放电分解纯硅烷,通过控制和选择工艺条件,可以制备速率大于1.0nm/s,光敏性大于10~5的优质非晶硅氢合金薄膜。...
[期刊论文] 作者：林揆训,林璇英,
来源：功能材料 年份：1993
在分析用电子束蒸发制备铟锡氧化物(ITO)透明导电膜的静态工艺流程的基础上,提出了多种参数同步变化的动态工艺流程。用这种新颖的工艺流程制备了优质的ITO透明导电膜,方块电...
[期刊论文] 作者：余楚迎,林璇英,
来源：功能材料 年份：2000
用ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜，其晶化温度、晶粒尺寸的电性能薄膜的初始结构有密切关系，而ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的切初结构依赖于沉积条件，用ＰＣＶＤ方法高速沉积的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜，经５５０℃的低温退火，可以制备平均晶......
[期刊论文] 作者：林揆训,林璇英,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1990
非晶硅薄膜的高速沉积是非晶硅太阳电池低成本,大规模生产和推广应用的关键技术之一.我们采用预热反应气体.在小的射频功率流密度条件下.用热催化等离子体化学气相沉积方法....
[期刊论文] 作者：林舜辉,林璇英,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1997
本文报道了光吸收谱的恒定光电流测量法，并用其测量了高速沉积的氢化非晶硅薄膜的光吸收谱，同时观测了Ｓｔａｅｂｌｅｒ Ｗｒｏｎｓｋｉ效应中样品吸收系数的变化。...
[期刊论文] 作者：林璇英,姚英河,
来源：功能材料 年份：1998
用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶料，室温下能发出可见光。实验表明，高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在ＳｉＯ２的无序网络各，其晶......
[期刊论文] 作者：林揆训,林璇英,
来源：功能材料 年份：1996
射频辉光放电硅烷等离子体化学汽相沉积是制备氢化非晶硅薄膜的主要工艺技术。探测和控制等离子体参数是选取最佳工艺条件、制备优质薄膜的关键问题。Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针是获得等离子体荷电......
[期刊论文] 作者：林璇英,林揆训,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1990
我们提出一种新型的表面肖特基栅的a-Si∶H静电感应晶体管.这种管子制备工艺简单,界面特性良好.计算机模拟结果表明,隙态密度和沟道宽度是影响管子性能的主要参量,当隙态密度...
[期刊论文] 作者：林揆训,林璇英,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1997
本文了ＰＣＶＤ过程中等离子体种种粒子和基团的诊断技术和方法，结合我们的研究工作，着重分析了诊断技术在发展过程中所碰到的难题及其解决办法和仍待解决的...
[期刊论文] 作者：林璇英,林揆训,
来源：汕头大学学报：自然科学版 年份：1997
非单晶氢基薄膜材料，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下发出可见光，发光强度强烈信赖于晶粒大小和结晶体在网络中的体积比。发光来源于量子尺寸效应和表面发光中......
[期刊论文] 作者：陈城钊,林璇英,,
来源：真空 年份：2012
采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术,在玻璃和硅衬底上沉积微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼光谱、AFM和电导率测试对不同射频功率下沉积的薄膜的结构特性及光电...
[会议论文] 作者：姚若河,林璇英,
来源：'96中国材料研讨会 年份：1996
该文报道了采用四极质谱计实现在ＰＣＶＤ系统中对制备ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜时的硅烷射频辉光放电中性基因的在线测量。获取了在低压强、小放电功率条件下，ＳｉＨ〈，２〉与ＳｉＨ〈，３〉基团的相对丰度比。......
[会议论文] 作者：林璇英;林揆训;,
来源：'96中国材料研讨会 年份：1996
采用静电探针和质谱在线测量子高速沉积具备器件质量非晶硅氢薄膜时的ＳｉＨ〈，４〉射频辉光放电等离子体的电子浓度、电子能量分布状态、空间反应产物成分及其与射频功率间的依赖关系......
[会议论文] 作者：林璇英,林揆训,
来源：第九届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：林揆训,林璇英,,
来源：物理通报 年份：1997
1990年英国科学家Canham发现了多孔硅在摩温下光激发射可见光效应,立刻引起了世界科学界的轰动,在不到两年的时间,就发表了多达九百多篇有关的研究论文.当今,微电子集成技术...
[期刊论文] 作者：刘嘉,章哲,林璇英,
来源：电子学报 年份：1991
本文介绍利用环形双电子枪制备非晶硅太阳电池用ITO/SnO_2双层透明导电膜新工艺。在最佳条件下制备的该膜的薄层电阻达6.1Ω/□,可见光范围的透过率大于90％,载流子浓度为1.0×...
[期刊论文] 作者：姚若河,林璇英,等,
来源：功能材料 年份：2001
利用Monte Carlo模型研究了用PCVD法沉积α-Si:H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段，即成核阶段和晶核成长阶段；3种动力学过程，即粒子入...
[期刊论文] 作者：黄创君,林璇英,等,
来源：功能材料 年份：2002
以SiCl4-H2为气源，用等离子体化学气相沉积技术，在衬底温度仅为200℃时能获得多晶硅薄膜，最大晶粒达1．5μm，结晶度在90％以上，薄膜中不含Cl,H,C,N,O等杂质，暗电导率高达10^-4Ω^-1......
[期刊论文] 作者：林璇英,杨大同,奚中和,
来源：半导体学报 年份：1987
非晶硅太阳电池本征层厚度和费米能级位置是影响电池性能的两个重要物理参量.本文从理论上计算出PIN结内建场与本征层厚度和费米能级位置的关系.计算结果表明:为保证光生载流...
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