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以SiCl4-H2为气源，用等离子体化学气相沉积技术，在衬底温度仅为200℃时能获得多晶硅薄膜，最大晶粒达1．5μm，结晶度在90％以上，薄膜中不含Cl,H,C,N,O等杂质，暗电导率高达10^-4Ω^-1·cm^-1，光照稳定性好，对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论。
SiCl4—H2为气源低温制备多晶硅薄膜
【摘 要】
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以SiCl4-H2为气源，用等离子体化学气相沉积技术，在衬底温度仅为200℃时能获得多晶硅薄膜，最大晶粒达1．5μm，结晶度在90％以上，薄膜中不含Cl,H,C,N,O等杂质，暗电导率高达10^-4Ω^-1
【机 构】
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汕头大学物理系
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2002年6期
【基金项目】
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国家科委国家重大基础研究“973”资助项目 (G2 0 0 0 0 2 82 0 )
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